C30817EH – Si APD, 0,8 mm, TO-5 Gehäuse
Die Silizium-Avalanche-Photodiode C30817EH ist mit einer doppelt diffundierten „Reach-Through“ Struktur für allgemeine Anwendungen konzipiert. Diese Struktur bietet eine hohe Empfindlichkeit zwischen 400 nm und 1100 nm sowie schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten über alle Wellenlängen. Aufgrund der kurzen Abfallzeit, ist die Empfindlichkeit der Diode bis zu etwa 200 MHz unabhängig von der Modulationsfrequenz.
Die C30817EH ist hinter einem ebenen Glasfenster in einem flachen und hermetisch versiegeltem TO-5-Gehäuse verbaut.
Hauptmerkmale:
- Hohe Quantenausbeute
- 85% typisch bei 900 nm
- 18% typisch bei 1060 nm
- Spektralbereich – 400 nm bis 1100 nm
- Schnelle Ansprechzeit
- Anstiegszeit und Abfallzeit typischerweise 2 ns
- Weiter Betriebstemperaturbereich
Anwendungen:
- Laser Detektion
- Entfernungsmessung
- Optische Kommunikation
- Hochgeschwindigkeits-Umschaltung
- Laufzeitmessungen
Aktive Fläche: 0,5 mm²
Aktiver Durchmesser: 0,8 mm
Durchbruchspannung: 375 V
Kapazität: 2 pF
Dunkelstrom: 50 nA
Verstärkungsfaktor: 120
Rauschstrom: 1 pA/√Hz
Gehäuse: TO-5 mit planem Glasfenster
Empfindlichkeit:
- 75 A/W bei 900 nm
- 18 A/W bei 1060 nm
Anstiegs-/Abfallzeit: 2 ns
Temperaturkoeffizient: 0,7 V/°C
Wellenlänge: 400 nm – 1100 nm
Aktive Fläche: 0,5 mm²
Aktiver Durchmesser: 0,8 mm
Durchbruchspannung: 375 V
Kapazität: 2 pF
Dunkelstrom: 50 nA
Verstärkungsfaktor: 120
Rauschstrom: 1 pA/√Hz
Gehäuse: TO-5 mit planem Glasfenster
Empfindlichkeit:
- 75 A/W bei 900 nm
- 18 A/W bei 1060 nm
Anstiegs-/Abfallzeit: 2 ns
Temperaturkoeffizient: 0,7 V/°C
Wellenlänge: 400 nm – 1100 nm