C30902SH-TC – Si APD, 0,5 mm, TO-66 Gehäuse, Photon-Counting, Peltier Kühlelement
Die Avalanche-Photodioden C30902SH von Excelitas sind schnelle, großflächige Silizium-APDs, die eine hohe Empfindlichkeit bei geringem Rauschen bieten. Sie werden speziell ausgewählt, um entweder im Geiger-Modus (VOP > VBD) zur Detektion einzelner Photonen oder im Linear-Modus (VOP < VBD) mit bis zu 250 facher Verstärkung eingesetzt zu werden.
SPAD mit hoher Ansprechempfindlichkeit und geringem Rauschen
Die Silizium-SPADs der C30902SH-Familie ermöglichen dank äußerst geringem Rauschen und niedrigem Dunkelstrom sehr leistungsfähige Daten- und Abstandsmessungen. Sie eignen sich insbesondere für Anwendungen zur Detektion bei extrem niedrigen Lichtstärken (z. B. Einzelphotonenzählung und Quantenkommunikation) und sind für den Einsatz bei optischen Leistungen von weniger als 1 pW konzipiert. Die C30902SH-TC kann entweder im linearen Modus (VOP < VBD) mit typischen Verstärkungen von 250 oder mehr oder im „Geiger“-Modus (VOP > VBD) mit äußerst niedrigen und stabilen Dunkelzählraten und Nachimpulsverhältnissen eingesetzt werden. In diesem Modus sind keine externen Verstärkerschaltungen notwendig und die Wahrscheinlichkeit ein einzelnes Photon zu detektieren liegt etwa bei 50%. Für noch mehr Leistung sind diese Hochleistungs-SPADs mit ein- oder zweistufigen thermoelektrischen Kühlern erhältlich.
Hauptmerkmale:
- 0,5 mm Si APD im TO-66-Gehäuse mit Flanschprofil
- Hohe Quanteneffizienz – 84 % typisch bei 800 nm
- Extrem geringes Rauschen bei 0 °C
- Hohe Empfindlichkeit: interne Verstärkung >250
- Spektralbereich: 400 nm bis 1100 nm
- Ansprechzeit: typisch 0,4 ns
- Weiter Betriebstemperaturbereich –40°C bis +85°C
- ein- oder zweistufige integrierte Peltierkühlung optional erhältlich
Anwendungen:
- LiDAR-/ToF-Messungen
- Quantenkommunikation
- Photon Counting
- Optisches Zeitbereichsreflektometer (OTDR)
- Laserscanning
Aktive Fläche: 0,2 mm²
Aktiver Durchmesser: 0,5 mm
Durchbruchspannung: typisch 225 V
Kapazität: typisch 1,5 pF
Temperatur-Koeffizient: typisch 0,7 V/°C
Dunkelstrom: 2 nA
Dunkelrauschen: 0,04 pA/√Hz
Rauschäquivalente Leistung: 0,29 fW/√Hz
Typische Empfindlichkeit: 135 A/W bei 800 nm
Empfohlene Verstärkung: 250
Paket: TO-66, Flanschprofil
Aktive Fläche: 0,2 mm²
Aktiver Durchmesser: 0,5 mm
Durchbruchspannung: typisch 225 V
Kapazität: typisch 1,5 pF
Temperatur-Koeffizient: typisch 0,7 V/°C
Dunkelstrom: 2 nA
Dunkelrauschen: 0,04 pA/√Hz
Rauschäquivalente Leistung: 0,29 fW/√Hz
Typische Empfindlichkeit: 135 A/W bei 800 nm
Empfohlene Verstärkung: 250
Paket: TO-66, Flanschprofil