C30916EH – Si APD, 1,5 mm, TO-5 Gehäuse
Die großflächige Silizium Avalanche-Photodiode C30916EH bietet eine aktive Fläche mit einem Durchmesser von 1,5 mm in einem TO-5-Gehäuse.
Die Excelitas C30916EH Silizium Avalanche-Photodiode ist gekennzeichnet durch ihre doppelt diffundierte „Reach-Through“ Struktur. Diese zeichnet sich durch eine hohe Empfindlichkeit im Spektralbereich zwischen 400 nm und 1000 nm sowie durch extrem schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten über diesen Wellenlängenbereich aus.
Hauptmerkmale:
- Geringes Rauschen
- Hoher Verstärkungsfaktor
- Hohe Quantenausbeute
- ein- oder zweistufige integrierte Peltierkühlung optional erhältlich
Anwendungen:
- Laserbasierte Entfernungsmessung
- LiDAR
- Optische Kommunikation
- Spektrometer
- Fluoreszenzdetektion
Aktive Fläche: 1,7 mm²
Aktiver Durchmesser: 1,5 mm
Durchbruchspannung: >315 V, 390 V, <490 V
Kapazität: 3 pF
Dunkelstrom: 100 nA
Verstärkungsfaktor: 80
NEP: 20 fW/√Hz
Gehäuse: TO-5
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 900 nm
Empfindlichkeit: >50 A/W bei 900 nm, 12 A/W bei 1060 nm
Anstiegs-/Abfallzeit: 3 ns
Aktive Fläche: 1,7 mm²
Aktiver Durchmesser: 1,5 mm
Durchbruchspannung: >315 V, 390 V, <490 V
Kapazität: 3 pF
Dunkelstrom: 100 nA
Verstärkungsfaktor: 80
NEP: 20 fW/√Hz
Gehäuse: TO-5
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 900 nm
Empfindlichkeit: >50 A/W bei 900 nm, 12 A/W bei 1060 nm
Anstiegs-/Abfallzeit: 3 ns