TEIL/ C30916EH
C30916EH – Si APD, 1,5 mm, TO-5 Gehäuse
Die großflächige Silizium Avalanche-Photodiode C30916EH bietet eine aktive Fläche mit einem Durchmesser von 1,5 mm in einem TO-5-Gehäuse.
Die Excelitas C30916EH Silizium Avalanche-Photodiode ist gekennzeichnet durch ihre doppelt diffundierte „Reach-Through“ Struktur. Diese zeichnet sich durch eine hohe Empfindlichkeit im Spektralbereich zwischen 400 nm und 1000 nm sowie durch extrem schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten über diesen Wellenlängenbereich aus.
Hauptmerkmale:
- Geringes Rauschen
- Hoher Verstärkungsfaktor
- Hohe Quantenausbeute
- ein- oder zweistufige integrierte Peltierkühlung optional erhältlich
Anwendungen:
- Laserbasierte Entfernungsmessung
- LiDAR
- Optische Kommunikation
- Spektrometer
- Fluoreszenzdetektion
| Aktive Fläche | 1,7 mm² |
| Aktiver Durchmesser | 1,5 mm |
| Durchbruchspannung | >315, 390, <490 V |
| Kapazität | 3pF |
| Dunkelstrom | 100 nA |
| Verstärkung | 80 |
| NEP | 20 fW/√Hz |
| Gehäuse | TO-5 |
| Maximum der spektralen Empfindlichkeit | 900 nm |
| Empfindlichkeit | >50 A/W bei 900 nm, 12 A/W bei 1060 nm |
| Anstiegs-/Abfallzeit | 3 ns |
| Aktive Fläche | 1,7 mm² |
| Aktiver Durchmesser | 1,5 mm |
| Durchbruchspannung | >315, 390, <490 V |
| Kapazität | 3pF |
| Dunkelstrom | 100 nA |
| Verstärkung | 80 |
| NEP | 20 fW/√Hz |
| Gehäuse | TO-5 |
| Maximum der spektralen Empfindlichkeit | 900 nm |
| Empfindlichkeit | >50 A/W bei 900 nm, 12 A/W bei 1060 nm |
| Anstiegs-/Abfallzeit | 3 ns |