Kosteneffiziente Silizium APDs für die Großserienfertigung

Unsere APDs der Serie C30724 bieten eine hohe Empfindlichkeit im Wellenlängenbereich von 800 nm bis 950 nm und sind so konzipiert, dass sie die Anforderungen in der  Großserienfertigung bei gutem Preis-/Leistungsverhältnis erfüllen. Die C30724EH wird in einem hermetischen TO-18-Gehäuse geliefert. Die C30724EH-2 verwendet ein modifiziertes TO-18 Gehäuse mit einem eingebauten 905 nm Bandpassfilter. Das Modell C30724PH ist in Kunstoff gekapselt, ähnlich der Größe eines TO-18 Gehäuses.

Excelitas High-Volume, Cost-Effective Si APDs

Produktliste

Excelitas C30724EH Si APDs
Teilenummer
C30724EH

C30724EH – Si APD, 500 µm, TO Gehäuse

Die C30724EH Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) bietet eine maximale Empfindlichkeit bei 920 nm und einen niedrigen Temperaturkoeffizienten in einem metallischen TO Gehäuse.
Excelitas C39737LH Silizium APD in LCC-Gehäuse
Teilenummer
C30737LH-500-81N

C30737LH-500-81N – Si APD, 500 µm, LCC Gehäuse, 635 nm Filter

Die C30737LH-500-81N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit 635 nm Bandpassfilter geliefert und besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm.
Excelitas C39737PH Silizium APD in einem Kunststoff-Paket
Teilenummer
C30737PH-500-80N

C30737PH-500-80N – Si APD, 500 µm, Kunststoffgehäuse, 800 nm optimiert

Die Silizium Avalanche-Photodiode (APD) C30737PH-500-80N besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm mit optimierter Empfindlichkeit bei 800 nm und wird in einem T1¾-Kunststoffgehäuse geliefert.
Excelitas C39737PH Silizium APD in einem Kunststoff-Paket
Teilenummer
C30737PH-230-90N

C30737PH-230-90N – Si APD, 230 µm, Kunststoffgehäuse, 900 nm optimiert

Die C30737PH-230-90N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem T 1¾ Kunststoffgehäuse geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 900 nm.
Excelitas C39737PH Silizium-APD in einem Kunststoffgehäuse
Teilenummer
C30737PH-230-80N

C30737PH-230-80N – Si APD, 230 µm, Kunststoffgehäuse, 800 nm optimiert

Die Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) C30737PH-230-80N wird in einem in einem T1¾ Gehäuse aus Kunststoff geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm.
Excelitas C30737MH-500-90N Silicon Avalanche Photodiode (APD)
Teilenummer
C30737MH-500-90N

C30737MH-500-90N – Si APD, 500 µm, LLC Gehäuse, 900 nm optimiert

Die Avalanche-Photodiode (APD) C30737MH-500-90N besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm in einem Leadless Laminate Carrier (LLC) Gehäuse und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 900 nm.
Excelitas C30737MH-500-80N Silicon Avalanche Photodiode (APD)
Teilenummer
C30737MH-500-80N

C30737MH-500-80N – Si APD, 500 µm, LLC Gehäuse, 800 nm optimiert

Die Avalanche-Photodiode (APD) C30737MH-500-80N besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm in einem Leadless Laminate Carrier (LLC) Gehäuse und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm.
C30737MH-230-90N Silicon Avalanche Photodiode (Si APD)
Teilenummer
C30737MH-230-90N

C30737MH-230-90N – Si APD, 230 µm, LLC Gehäuse, 900 nm optimiert

Die C30737MH-230-90N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem LLC Gehäuse geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 900 nm.
Excelitas C30737MH-230-80N Silicon Avalanche Photodiode (Si APD)
Teilenummer
C30737MH-230-80N

C30737MH-230-80N – Si APD, 230 µm, LLC Gehäuse, 800 nm optimiert

Die C30737MH-230-80N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Leadless Laminate Carrier (LLC) Gehäuse geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm und bietet eine optimierte Empfindlichktei bei 800 nm.
C39737LH Silizium APD in LCC-Paket
Teilenummer
C30737LH-500-92N

C30737LH-500-92N – Si APD, 500 µm, LCC Gehäuse, 905 nm Filter

Die C30737LH-500-92N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit einem 905 nm Bandpassfilter geliefert und besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm.
Excelitas C39737LH Silizium APD in LCC-Gehäuse
Teilenummer
C30737LH-500-90N

C30737LH-500-90N – Si APD, 500 µm, LCC Gehäuse, 900 nm optimiert

Die C30737LH-500-90N Silizium Avalanche-Photodiode (APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 900 nm.
Excelitas C39737LH Silizium APD in LCC-Gehäuse
Teilenummer
C30737LH-500-83N

C30737LH-500-83N – Si APD, 500 µm, LCC Gehäuse, 650 nm Filter

Die C30737LH-500-83N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit 650 nm Bandpassfilter geliefert und besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm.
Excelitas C39737LH Silizium APD in LCC-Paket
Teilenummer
C30737LH-500-80N

C30737LH-500-80N – Si APD, 500 µm, LCC Gehäuse, 800 nm optimiert

Die C30737LH-500-80N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm.
Excelitas C30724EH-2 Silizium-APD, 500 um, TO, 905-nm-Filter
Teilenummer
C30724EH-2

C30724EH-2 – Si APD, 500 µm, TO, 905 nm Filter

Die C30724EH-2 Silizium-Avalanche-Photodiode (Si APD) beinhaltet einen 905 nm Filter in einem metallischen TO Gehäuse und bietet einen niedrigen Temperaturkoeffizienten.
Excelitas C39737LH Silizium APD in LCC-Gehäuse
Teilenummer
C30737LH-300-73N

C30737LH-300-73N – Si APD, 300 µm, LCC Gehäuse, 650 nm Filter

Die C30737LH-300-73N Silizium Avalanche-Photodiode (APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit 650 nm Bandpassfilter geliefert, und besitzt einen aktiven Durchmesser von 300 µm.
C39737LH Silizium APD in LCC-Paket
Teilenummer
C30737LH-300-72N

C30737LH-300-72N – Si APD, 300 µm, LCC Gehäuse, 905 nm Filter

Die C30737LH-300-72N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD)wird in einem Keramikgehäuse mit 905 nm Bandpassfilter geliefert und besitzt einen aktiven Durchmesser von 300 µm.
C39737LH Silizium APD in LCC-Paket
Teilenummer
C30737LH-300-71N

C30737LH-300-71N – Si APD, 300 µm, LCC Gehäuse, 635 nm Filter

Die C30737LH-300-71N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit 635 nm Bandpassfilter geliefert und bietet einen 300 µm aktiven Durchmesser.
C39737LH Silizium APD in LCC-Paket
Teilenummer
C30737LH-300-70N

C30737LH-300-70N – Si
APD, 300 µm, LCC Gehäuse

Die C30737LH-300-70N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 300 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm.
C39737LH Silizium-APD in LCC-Gehäuse.
Teilenummer
C30737LH-230-92N

C30737LH-230-92N – Si APD, 230 µm, LCC Gehäuse, 905 nm Filter

Die C30737LH-230-92N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit einem 905 nm Bandpassfilter geliefert und besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm.
Excelitas C39737LH Silizium APD in LCC-Gehäuse
Teilenummer
C30737LH-230-90N

C30737LH-230-90N – Si APD, 230 µm, LCC Gehäuse, 900 nm optimiert

Die C30737LH-230-90N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm und bietet eine optimierte Emfindlichkeit bei 900 nm.
C39737LH Silizium APD in LCC-Paket
Teilenummer
C30737LH-230-83N

C30737LH-230-83N – Si APD, 230 µm, LCC Gehäuse, 800 nm optimiert, 650 nm Bandpassfilter

Die C30737LH-230-83N Silizium-Avalanche-Fotodiode (Si APD) bietet einen aktiven Durchmesser von 230 µm mit verbesserter 800-nm-Reaktion und 650 nm optischem Bandpass in einem bleifreien Keramikträger (LCC).
Excelitas C39737LH Silizium APD in LCC-Paket
Teilenummer
C30737LH-230-81N

C30737LH-230-81N – Si APD, 230 µm, LCC Gehäuse, 800 nm optimiert, 635 nm Bandpassfilter

Die C30737LH-230-81N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit 635 nm Bandpassfilter geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm.
Excelitas C39737LH Silizium APD in LCC-Gehäuse
Teilenummer
C30737LH-230-80N

C30737LH-230-80N – Si APD, 230 µm, LCC Gehäuse, 800 nm optimiert

Die C30737LH-230-80N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm.
C39737LH Silizium APD in LLC FR4 seitlich gerichtetem Gehäuse
Teilenummer
C30737CH-300-70

C30737CH-300-70 – Si APD, 300 µm, side-looking LLC SMD Gehäuse

Die C30737CH-300-70 Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm und hat einen aktiven Durchmesser von 300 µm in einem Leadless Laminate Carrier (LLC) Gehäuse
Excelitas C30724PH Silizium-APDs
Teilenummer
C30724PH

C30724PH – Si APD, 500 µm, Kunststoffgehäuse

Die C30724PH Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) bietet eine maximale Empfindlichkeit bei 920 nm und einen niedrigen Temperaturkoeffizienten in einem Kunststoffgehäuse.
Excelitas C39737PH Silizium APD in einem Kunststoff-Paket
Teilenummer
C30737PH-500-90N

C30737PH-500-90N – Si APD, 500 µm, Kunststoffgehäuse, 900 nm optimiert

Die C30737PH-500-90N Silizium Avalanche-Fotodiode (APD) wird in einem T 1¾ Kunststoffgfehäuse geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm und bietet eine optimierte Emfpindlichkeit bei 900 nm.