Teilenummer
C30724EH
C30724EH – Si APD, 500 µm, TO Gehäuse
Die C30724EH Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) bietet eine maximale Empfindlichkeit bei 920 nm und einen niedrigen Temperaturkoeffizienten in einem metallischen TO Gehäuse.
Kosteneffiziente Silizium APDs für die Großserienfertigung
Unsere APDs der Serie C30724 bieten eine hohe Empfindlichkeit im Wellenlängenbereich von 800 nm bis 950 nm und sind so konzipiert, dass sie die Anforderungen in der Großserienfertigung bei gutem Preis-/Leistungsverhältnis erfüllen. Die C30724EH wird in einem hermetischen TO-18-Gehäuse geliefert. Die C30724EH-2 verwendet ein modifiziertes TO-18 Gehäuse mit einem eingebauten 905 nm Bandpassfilter. Das Modell C30724PH ist in Kunstoff gekapselt, ähnlich der Größe eines TO-18 Gehäuses.
Produktliste
Teilenummer
C30724EH-2
C30724EH-2 – Si APD, 500 µm, TO, 905 nm Filter
Die C30724EH-2 Silizium-Avalanche-Photodiode (Si APD) beinhaltet einen 905 nm Filter in einem metallischen TO Gehäuse und bietet einen niedrigen Temperaturkoeffizienten.
Teilenummer
C30724PH
C30724PH – Si APD, 500 µm, Kunststoffgehäuse
Die C30724PH Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) bietet eine maximale Empfindlichkeit bei 920 nm und einen niedrigen Temperaturkoeffizienten in einem Kunststoffgehäuse.
Teilenummer
C30737CH-300-70
C30737CH-300-70 – Si APD, 300 µm, side-looking LLC SMD Gehäuse
Die C30737CH-300-70 Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm und hat einen aktiven Durchmesser von 300 µm in einem Leadless Laminate Carrier (LLC) Gehäuse
Teilenummer
C30737LH-230-80N
C30737LH-230-80N – Si APD, 230 µm, LCC Gehäuse, 800 nm optimiert
Die C30737LH-230-80N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm.
Teilenummer
C30737LH-230-81N
C30737LH-230-81N – Si APD, 230 µm, LCC Gehäuse, 800 nm optimiert, 635 nm Bandpassfilter
Die C30737LH-230-81N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit 635 nm Bandpassfilter geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm.
Teilenummer
C30737LH-230-83N
C30737LH-230-83N – Si APD, 230 µm, LCC Gehäuse, 800 nm optimiert, 650 nm Bandpassfilter
Die C30737LH-230-83N Silizium-Avalanche-Fotodiode (Si APD) bietet einen aktiven Durchmesser von 230 µm mit verbesserter 800-nm-Reaktion und 650 nm optischem Bandpass in einem bleifreien Keramikträger (LCC).
Teilenummer
C30737LH-230-90N
C30737LH-230-90N – Si APD, 230 µm, LCC Gehäuse, 900 nm optimiert
Die C30737LH-230-90N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm und bietet eine optimierte Emfindlichkeit bei 900 nm.
Teilenummer
C30737LH-230-92N
C30737LH-230-92N – Si APD, 230 µm, LCC Gehäuse, 905 nm Filter
Die C30737LH-230-92N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit einem 905 nm Bandpassfilter geliefert und besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm.
Teilenummer
C30737LH-300-70N
C30737LH-300-70N – Si APD, 300 µm, LCC Gehäuse
Die C30737LH-300-70N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 300 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm.
Teilenummer
C30737LH-300-71N
C30737LH-300-71N – Si APD, 300 µm, LCC Gehäuse, 635 nm Filter
Die C30737LH-300-71N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit 635 nm Bandpassfilter geliefert und bietet einen 300 µm aktiven Durchmesser.
Teilenummer
C30737LH-300-72N
C30737LH-300-72N – Si APD, 300 µm, LCC Gehäuse, 905 nm Filter
Die C30737LH-300-72N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD)wird in einem Keramikgehäuse mit 905 nm Bandpassfilter geliefert und besitzt einen aktiven Durchmesser von 300 µm.
Teilenummer
C30737LH-300-73N
C30737LH-300-73N – Si APD, 300 µm, LCC Gehäuse, 650 nm Filter
Die C30737LH-300-73N Silizium Avalanche-Photodiode (APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit 650 nm Bandpassfilter geliefert, und besitzt einen aktiven Durchmesser von 300 µm.
Teilenummer
C30737LH-500-80N
C30737LH-500-80N – Si APD, 500 µm, LCC Gehäuse, 800 nm optimiert
Die C30737LH-500-80N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm.
Teilenummer
C30737LH-500-81N
C30737LH-500-81N – Si APD, 500 µm, LCC Gehäuse, 635 nm Filter
Die C30737LH-500-81N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit 635 nm Bandpassfilter geliefert und besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm.
Teilenummer
C30737LH-500-83N
C30737LH-500-83N – Si APD, 500 µm, LCC Gehäuse, 650 nm Filter
Die C30737LH-500-83N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit 650 nm Bandpassfilter geliefert und besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm.
Teilenummer
C30737LH-500-90N
C30737LH-500-90N – Si APD, 500 µm, LCC Gehäuse, 900 nm optimiert
Die C30737LH-500-90N Silizium Avalanche-Photodiode (APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 900 nm.
Teilenummer
C30737LH-500-92N
C30737LH-500-92N – Si APD, 500 µm, LCC Gehäuse, 905 nm Filter
Die C30737LH-500-92N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit einem 905 nm Bandpassfilter geliefert und besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm.
Teilenummer
C30737MH-230-80N
C30737MH-230-80N – Si APD, 230 µm, LLC Gehäuse, 800 nm optimiert
Die C30737MH-230-80N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Leadless Laminate Carrier (LLC) Gehäuse geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm und bietet eine optimierte Empfindlichktei bei 800 nm.
Teilenummer
C30737MH-230-90N
C30737MH-230-90N – Si APD, 230 µm, LLC Gehäuse, 900 nm optimiert
Die C30737MH-230-90N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem LLC Gehäuse geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 900 nm.
Teilenummer
C30737MH-500-80N
C30737MH-500-80N – Si APD, 500 µm, LLC Gehäuse, 800 nm optimiert
Die Avalanche-Photodiode (APD) C30737MH-500-80N besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm in einem Leadless Laminate Carrier (LLC) Gehäuse und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm.
Teilenummer
C30737MH-500-90N
C30737MH-500-90N – Si APD, 500 µm, LLC Gehäuse, 900 nm optimiert
Die Avalanche-Photodiode (APD) C30737MH-500-90N besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm in einem Leadless Laminate Carrier (LLC) Gehäuse und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 900 nm.
Teilenummer
C30737PH-230-80N
C30737PH-230-80N – Si APD, 230 µm, Kunststoffgehäuse, 800 nm optimiert
Die Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) C30737PH-230-80N wird in einem in einem T1¾ Gehäuse aus Kunststoff geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm.
Teilenummer
C30737PH-230-90N
C30737PH-230-90N – Si APD, 230 µm, Kunststoffgehäuse, 900 nm optimiert
Die C30737PH-230-90N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem T 1¾ Kunststoffgehäuse geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 900 nm.
Teilenummer
C30737PH-500-80N
C30737PH-500-80N – Si APD, 500 µm, Kunststoffgehäuse, 800 nm optimiert
Die Silizium Avalanche-Photodiode (APD) C30737PH-500-80N besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm mit optimierter Empfindlichkeit bei 800 nm und wird in einem T1¾-Kunststoffgehäuse geliefert.
Teilenummer
C30737PH-500-90N
C30737PH-500-90N – Si APD, 500 µm, Kunststoffgehäuse, 900 nm optimiert
Die C30737PH-500-90N Silizium Avalanche-Fotodiode (APD) wird in einem T 1¾ Kunststoffgfehäuse geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm und bietet eine optimierte Emfpindlichkeit bei 900 nm.