Excelitas C39737LH Silizium APD in LCC-Gehäuse
TEIL/ C30737LH-300-72N

C30737LH-300-72N – Si APD, 300 µm, LCC Gehäuse, 905 nm Filter

Die C30737LH-300-72N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD)wird in einem Keramikgehäuse mit 905 nm Bandpassfilter geliefert und besitzt einen aktiven Durchmesser von 300 µm.

Hauptmerkmale:

  • Hohe Empfindlichkeit mit Filter bei 905 nm
  • Geringes Rauschen und extrem schnelle Anstiegszeit mit einer Grenzfrequenz von über 700 MHz
  • Aktiver Durchmesser von 300 μm
  • Optischer Bandpassfilter bei 905 nm
  • SMD Keramikgehäuse

Anwendungen:

  • Laserbasierte Entfernungsmessung
  • Lasermeter
  • Laserscanner
  • Anwendungen, die einen kostengünstigen, hochleistungsfähigen Detektor erfordern

  • Aktiver Durchmesser: 300 μm
  • Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 905 nm
  • Durchbruchspannung Vbd: 110 V – 165 V
  • Temperatur-Koeffizient von Vop für konstante Verstärkung: 0,6 V/°C
  • Verstärkung: 100 @ 800 nm
  • Empfindlichkeit: 35 A/W bei 905 nm
  • Dunkelstrom Id: 1 nA
  • Rauschstrom: 0,2 pA/√Hz
  • Kapazität: 0,7 pF
  • Grenzfrequenz: 700 MHz
  • Lagertemperatur: -40°C bis +100°C
  • Betriebstemperatur: -20°C bis +60°C
  • Gehäuse: 3x3 mm Glasfenster, SMD Keramikgehäuse (LCC)
  • Fenster: 905 nm Filter
  • Aktiver Durchmesser: 300 μm
  • Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 905 nm
  • Durchbruchspannung Vbd: 110 V – 165 V
  • Temperatur-Koeffizient von Vop für konstante Verstärkung: 0,6 V/°C
  • Verstärkung: 100 @ 800 nm
  • Empfindlichkeit: 35 A/W bei 905 nm
  • Dunkelstrom Id: 1 nA
  • Rauschstrom: 0,2 pA/√Hz
  • Kapazität: 0,7 pF
  • Grenzfrequenz: 700 MHz
  • Lagertemperatur: -40°C bis +100°C
  • Betriebstemperatur: -20°C bis +60°C
  • Gehäuse: 3x3 mm Glasfenster, SMD Keramikgehäuse (LCC)
  • Fenster: 905 nm Filter
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