C30737LH-230-90N – Si APD, 230 µm, LCC Gehäuse, 900 nm optimiert
Die C30737LH-230-90N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm und bietet eine optimierte Emfindlichkeit bei 900 nm.
Hauptmerkmale:
- Hohe Empfindlichkeit zwischen 500 nm und 1000 nm
- Geringes Rauschen und extrem schnelle Anstiegszeit mit einer Grenzfrequenz von über 380 MHz
- Aktiver Durchmesser von 230 μm, optimiert für maximale Empfindlichkeit bei 900 nm
- SMD Keramikgehäuse
Anwendungen:
- LiDAR
- Laserbasierte Entfernungsmessung
- Laser Scanner
- Anwendungen, die einen kostengünstigen, hochleistungsfähigen Detektor erfordern
Aktiver Durchmesser: 230 μm
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 900 nm
Durchbruchspannung Vbd: 180 V – 260 V (kann selektiert werden)
Temperaturkoeffizient von Vop für konstante Verstärkung: 1,3 V/°C
Verstärkung: 100 @ 900 nm
Empfindlichkeit: 60 A/W bei 900 nm
Dunkelstrom Id: typ: 0,05 nA, max:0,5 nA
Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
Kapazität: 0,6 pF
Anstiegs-/Abfallzeit: 0,9 ns bei 50 Ω Abschlusswiderstand
Grenzfrequenz: 380 MHz
Lagertemperatur: -50°C bis +100°C
Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C
Gehäuse: 3x3 mm, LCC Keramikgehäuse
Fenster: Standard
Aktiver Durchmesser: 230 μm
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 900 nm
Durchbruchspannung Vbd: 180 V – 260 V (kann selektiert werden)
Temperaturkoeffizient von Vop für konstante Verstärkung: 1,3 V/°C
Verstärkung: 100 @ 900 nm
Empfindlichkeit: 60 A/W bei 900 nm
Dunkelstrom Id: typ: 0,05 nA, max:0,5 nA
Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
Kapazität: 0,6 pF
Anstiegs-/Abfallzeit: 0,9 ns bei 50 Ω Abschlusswiderstand
Grenzfrequenz: 380 MHz
Lagertemperatur: -50°C bis +100°C
Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C
Gehäuse: 3x3 mm, LCC Keramikgehäuse
Fenster: Standard