TEIL/ C30737PH-500-80N
C30737PH-500-80N – Si APD, 500 µm, Kunststoffgehäuse, 800 nm optimiert
Die Silizium Avalanche-Photodiode (APD) C30737PH-500-80N besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm mit optimierter Empfindlichkeit bei 800 nm und wird in einem T1¾-Kunststoffgehäuse geliefert.
Hauptmerkmale:
- Hohe Empfindlichkeit zwischen 500 nm und 1000 nm
- Geringes Rauschen und extrem schnelle Anstiegszeiten über alle Wellenlängen mit einer Grenzfrequenz von über 1,3 GHz
- Aktiver Durchmesser von 500 μm, optimiert für maximale Empfindlichkeit bei 800 nm
- Kunststoffgehäuse T 1¾
Anwendungen:
- LiDAR
- Laserbasierte Entfernungsmessung
- Laser Scanner
- Anwendungen, die einen kostengünstigen, hochleistungsfähigen Detektor erfordern
- Aktiver Durchmesser: 500 μm
- Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 800 nm
- Durchbruchspannung Vbd: 120 V – 210 V (kann selektiert werden)
- Temperaturkoeffizient von Vop für konstante Verstärkung: 0,5 V/°C
- Verstärkung: 100 bei 800 nm
- Empfindlichkeit: 50 A/W bei 800 nm
- Dunkelstrom Id: 0,1 <1 nA
- Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
- Kapazität: 2 pF
- Anstiegs-/Abfallzeit: 0,3 ns bei 50 Ω Abschlusswiderstand
- Grenzfrequenz: 1.3 GHz
- Lagertemperatur: -50°C bis +100°C
- Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C
- Gehäuse: Kunststoffgehäuse T 1¾
- Aktiver Durchmesser: 500 μm
- Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 800 nm
- Durchbruchspannung Vbd: 120 V – 210 V (kann selektiert werden)
- Temperaturkoeffizient von Vop für konstante Verstärkung: 0,5 V/°C
- Verstärkung: 100 bei 800 nm
- Empfindlichkeit: 50 A/W bei 800 nm
- Dunkelstrom Id: 0,1 <1 nA
- Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
- Kapazität: 2 pF
- Anstiegs-/Abfallzeit: 0,3 ns bei 50 Ω Abschlusswiderstand
- Grenzfrequenz: 1.3 GHz
- Lagertemperatur: -50°C bis +100°C
- Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C
- Gehäuse: Kunststoffgehäuse T 1¾