TEIL/ C30737PH-230-80N
C30737PH-230-80N – Si APD, 230 µm, Kunststoffgehäuse, 800 nm optimiert
Die Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) C30737PH-230-80N wird in einem in einem T1¾ Gehäuse aus Kunststoff geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm.
Hauptmerkmale:
- Hohe Empfindlichkeit zwischen 500 nm und 1000 nm
- Geringes Rauschen und extrem schnelle Anstiegszeit mit einer Grenzfrequenz von über 1,5 GHz
- Aktiver Durchmesser von 230 μm, optimiert für maximale Empfindlichkeit bei 800 nm
- Kunststoffgehäuse der Größe T1¾
Anwendungen:
- LiDAR
- Laserbasierte Entfernungsmessung
- Laser Scanner
- Anwendungen, die einen kostengünstigen, hochleistungsfähigen Detektor erfordern
| Aktiver Durchmesser | 230 μm |
| Maximum der spektralen Empfindlichkeit | 800 nm |
| Durchbruchspannung Vbd | 120–210 (kann selektiert werden) |
| Temperatur-Koeffizient von Vop für konstante Verstärkung | 0,5 V/°C |
| Verstärkung | 100 @800nm |
| Empfindlichkeit | 50 A/W bei 800 nm |
| Dunkelstrom Id | 0,05 <0,5 nA |
| Rauschstrom | 0,1 pA/√Hz |
| Kapazität | 1 pF |
| Anstiegs-/Abfallzeit | 0,2 ns Lastwiderstand 50 Ω |
| Grenzfrequenz | 1,5 GHz |
| Lagertemperatur | -50°C bis +100°C |
| Betriebstemperatur | -40°C bis +85°C |
| Gehäuse | Kunststoff T1-3/4 für die Durchsteckmontage |
| Aktiver Durchmesser | 230 μm |
| Maximum der spektralen Empfindlichkeit | 800 nm |
| Durchbruchspannung Vbd | 120–210 (kann selektiert werden) |
| Temperatur-Koeffizient von Vop für konstante Verstärkung | 0,5 V/°C |
| Verstärkung | 100 @800nm |
| Empfindlichkeit | 50 A/W bei 800 nm |
| Dunkelstrom Id | 0,05 <0,5 nA |
| Rauschstrom | 0,1 pA/√Hz |
| Kapazität | 1 pF |
| Anstiegs-/Abfallzeit | 0,2 ns Lastwiderstand 50 Ω |
| Grenzfrequenz | 1,5 GHz |
| Lagertemperatur | -50°C bis +100°C |
| Betriebstemperatur | -40°C bis +85°C |
| Gehäuse | Kunststoff T1-3/4 für die Durchsteckmontage |