TEIL/ C30724PH
C30724PH – Si APD, 500 µm, Kunststoffgehäuse
Die C30724PH Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) bietet eine maximale Empfindlichkeit bei 920 nm und einen niedrigen Temperaturkoeffizienten in einem Kunststoffgehäuse.
Die C30724PH Si APD ist für den Wellenlängenbereich von 800 nm bis 950 nm optimiert. Diese Si APD eignet sich besonders für Großserienanwendungen von 905 nm laserbasierten Entfernungsmesssystemen und kann bei konstanter Spannung ohne Temperaturkompensation betrieben werden.
Hauptmerkmale:
- Si APD mit maximaler Empfindlichkeit bei 920 nm.
- Ausgelegt für die Großserienfertigung
- TO-Gehäuse aus Kunststoff
- 5 ns-Anstiegs- und Abfallzeit
- Betrieb bei niedriger Verstärkung möglich
- Keine Temperaturkompensation notwendig
Anwendungen:
- Laserbasierte Entfernungsmessung
- Lasermeter
- Laserpistole zur Verkehrsgeschwindigkeitsmessung
| Aktiver Durchmesser | 0,5 mm |
| Durchbruchspannung | 350 V |
| Kapazität | 1 pF |
| Dunkelstrom | 20, <40 nA |
| Verstärkung | >12, 15, <18 |
| Rauschstrom | 0,1, <0,25 pA/√Hz |
| Gehäuse | T1 ¾ Kunststoff (TO-18) |
| Maximum der spektralen Empfindlichkeit | 920 nm |
| Empfindlichkeit | 8,5 A/W bei 920 nm |
| Anstiegs-/Abfallzeit | 5 ns |
| Gesamt-Dunkelstrom (Volumen + Oberfläche) | 20, <40 nA |
| Betriebsspannnungsbereich | 120–200 V |
| Wellenlänge | 400 bis 1100 nm |
| Aktiver Durchmesser | 0,5 mm |
| Durchbruchspannung | 350 V |
| Kapazität | 1 pF |
| Dunkelstrom | 20, <40 nA |
| Verstärkung | >12, 15, <18 |
| Rauschstrom | 0,1, <0,25 pA/√Hz |
| Gehäuse | T1 ¾ Kunststoff (TO-18) |
| Maximum der spektralen Empfindlichkeit | 920 nm |
| Empfindlichkeit | 8,5 A/W bei 920 nm |
| Anstiegs-/Abfallzeit | 5 ns |
| Gesamt-Dunkelstrom (Volumen + Oberfläche) | 20, <40 nA |
| Betriebsspannnungsbereich | 120–200 V |
| Wellenlänge | 400 bis 1100 nm |