C30737LH-300-73N – Si APD, 300 µm, LCC Gehäuse, 650 nm Filter
Die C30737LH-300-73N Silizium Avalanche-Photodiode (APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit 650 nm Bandpassfilter geliefert, und besitzt einen aktiven Durchmesser von 300 µm.
Hauptmerkmale:
- Hohe Empfindlichkeit mit Filter bei 650 nm
- Geringes Rauschen und extrem schnelle Anstiegszeit mit einer Grenzfrequenz von über 700 MHz
- Aktiver Durchmesser von 300 μm
- Optischer Bandpassfilter bei 650 nm
- SMD Keramikgehäuse
Anwendungen:
- Laserbasierte Entfernungsmessung
- Lasermeter
- Laserscanner
- Anwendungen, die einen kostengünstigen, hochleistungsfähigen Detektor erfordern
Aktiver Durchmesser: 300 μm
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 650 nm
Durchbruchspannung Vbd: 110 V – 165 V
Temperatur-Koeffizient von Vop für konstante Verstärkung: 0,6 V/°C
Verstärkung: 100 @ 800 nm
Empfindlichkeit: 30 A/W bei 650 nm
Dunkelstrom Id: 1 nA
Rauschstrom: 0,2 pA/√Hz
Kapazität: 0,7 pF
Grenzfrequenz: 700 MHz
Lagertemperatur: -40°C bis +100°C
Betriebstemperatur: -20°C bis +60°C
Gehäuse: 3x3 mm, LCC Keramikgehäuse
Fenster: 650 nm Filter
Aktiver Durchmesser: 300 μm
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 650 nm
Durchbruchspannung Vbd: 110 V – 165 V
Temperatur-Koeffizient von Vop für konstante Verstärkung: 0,6 V/°C
Verstärkung: 100 @ 800 nm
Empfindlichkeit: 30 A/W bei 650 nm
Dunkelstrom Id: 1 nA
Rauschstrom: 0,2 pA/√Hz
Kapazität: 0,7 pF
Grenzfrequenz: 700 MHz
Lagertemperatur: -40°C bis +100°C
Betriebstemperatur: -20°C bis +60°C
Gehäuse: 3x3 mm, LCC Keramikgehäuse
Fenster: 650 nm Filter