C30724EH-2 – Si APD, 500 µm, TO, 905 nm Filter
Die C30724EH-2 Silizium-Avalanche-Photodiode (Si APD) beinhaltet einen 905 nm Filter in einem metallischen TO Gehäuse und bietet einen niedrigen Temperaturkoeffizienten.
Die C30724EH-2 ist eine Silizium APD in einem modifizierten TO-18 Gehäuse, welches mit einem eingebauten 905 nm Bandpassfilter ausgestattet ist. Diese Si APD eignet sich besonders für Großserienanwendungen von 905 nm laserbasierten Entfernungsmesssystemen und kann bei konstanter Spannung ohne Temperaturkompensation betrieben werden.
Wichtige Eigenschaften:
- Si APD mit 905 nm Filter in metallischem TO Gehäuse
- 5 ns Anstiegs- und Abfallzeit
- Betrieb bei niedriger Verstärkung möglich
- Keine Temperaturkompensation notwendig
Anwendungen:
- Laserbasierte Entfernungsmessung
- Lasermeter
- Laserpistole zur Verkehrsgeschwindigkeitsmessung
Aktive Fläche: 0,2 mm2
Aktiver Durchmesser: 0,5 mm
Durchbruchspannung: 350 V
Kapazität: 1 pF
Dunkelstrom: 20 nA
Verstärkung: >12, 15, <18
Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
Gehäuse: TO-18
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 920 nm
Fotoempfindlicher Durchmesser: 0,5 mm
Fotoempfindlicher Durchmesser: 0,5 mm
Empfindlichkeit: 8,5 A/W bei 920 nm
Anstiegs-/Abfallzeit: 5 ns
Dunkelstrom: 20 nA
Betriebsspannnungsbereich: 150 V – 200 V
Wellenlänge: 905 nm
Aktive Fläche: 0,2 mm2
Aktiver Durchmesser: 0,5 mm
Durchbruchspannung: 350 V
Kapazität: 1 pF
Dunkelstrom: 20 nA
Verstärkung: >12, 15, <18
Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
Gehäuse: TO-18
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 920 nm
Fotoempfindlicher Durchmesser: 0,5 mm
Fotoempfindlicher Durchmesser: 0,5 mm
Empfindlichkeit: 8,5 A/W bei 920 nm
Anstiegs-/Abfallzeit: 5 ns
Dunkelstrom: 20 nA
Betriebsspannnungsbereich: 150 V – 200 V
Wellenlänge: 905 nm