TEIL/ C30737MH-230-80N
C30737MH-230-80N – Si APD, 230 µm, LLC Gehäuse, 800 nm optimiert
Die C30737MH-230-80N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Leadless Laminate Carrier (LLC) Gehäuse geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm und bietet eine optimierte Empfindlichktei bei 800 nm.
Hauptmerkmale:
- Hohe Empfindlichkeit zwischen 500 nm und 1000 nm
- Geringes Rauschen und extrem schnelle Anstiegszeiten über alle Wellenlängen mit einer Grenzfrequenz von über 1,5 GHz
- Aktiver Durchmesser von 230 μm, optimiert für maximale Emfindlichkeit bei 800 nm
- LLC SMD Gehäuse
Anwendungen:
- LiDAR
- Laserbasierte Entfernungsmessung
- Laser Scanner
- Anwendungen, die einen kostengünstigen, hochleistungsfähigen Detektor erfordern
| Aktiver Durchmesser | 230 μm |
| Maximum der spektralen Empfindlichkeit | 800 nm |
| Durchbruchspannung Vbd | 120–210 (kann selektiert werden) |
| Temperatur-Koeffizient von Vop für konstante Verstärkung | 0,5 V/°C |
| Verstärkung | 100 @800nm |
| Empfindlichkeit | 50 A/W bei 800 nm |
| Dunkelstrom Id | 0,05 <0,5 nA |
| Rauschstrom | 0,1 pA/√Hz |
| Kapazität | 1 pF |
| Anstiegs-/Abfallzeit | 0,2 ns Lastwiderstand 50 Ω |
| Grenzfrequenz | 1,5 GHz |
| Lagertemperatur | -50°C bis +100°C |
| Betriebstemperatur | -40°C bis +85°C |
| Gehäuse | 2x1,75 mm Top-looking FR4-Epoxid-Substrat, bleifrei laminiert (LLC) |
| Aktiver Durchmesser | 230 μm |
| Maximum der spektralen Empfindlichkeit | 800 nm |
| Durchbruchspannung Vbd | 120–210 (kann selektiert werden) |
| Temperatur-Koeffizient von Vop für konstante Verstärkung | 0,5 V/°C |
| Verstärkung | 100 @800nm |
| Empfindlichkeit | 50 A/W bei 800 nm |
| Dunkelstrom Id | 0,05 <0,5 nA |
| Rauschstrom | 0,1 pA/√Hz |
| Kapazität | 1 pF |
| Anstiegs-/Abfallzeit | 0,2 ns Lastwiderstand 50 Ω |
| Grenzfrequenz | 1,5 GHz |
| Lagertemperatur | -50°C bis +100°C |
| Betriebstemperatur | -40°C bis +85°C |
| Gehäuse | 2x1,75 mm Top-looking FR4-Epoxid-Substrat, bleifrei laminiert (LLC) |