C30737MH-230-80N – Si APD, 230 µm, LLC Gehäuse, 800 nm optimiert
Die C30737MH-230-80N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Leadless Laminate Carrier (LLC) Gehäuse geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm und bietet eine optimierte Empfindlichktei bei 800 nm.
Hauptmerkmale:
- Hohe Empfindlichkeit zwischen 500 nm und 1000 nm
- Geringes Rauschen und extrem schnelle Anstiegszeiten über alle Wellenlängen mit einer Grenzfrequenz von über 1,5 GHz
- Aktiver Durchmesser von 230 μm, optimiert für maximale Emfindlichkeit bei 800 nm
- LLC SMD Gehäuse
Anwendungen:
- LiDAR
- Laserbasierte Entfernungsmessung
- Laser Scanner
- Anwendungen, die einen kostengünstigen, hochleistungsfähigen Detektor erfordern
Aktiver Durchmesser: 230 μm
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 800 nm
Durchbruchspannung Vbd: 120 V – 210 V (kann selektiert werden)
Temperaturkoeffizient von Vop für konstante Verstärkung: 0,5 V/°C
Verstärkung: 100 bei 800 nm
Empfindlichkeit: 50 A/W bei 800 nm
Dunkelstrom Id: typ: 0,05 nA, max:0,5 nA
Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
Kapazität: 1 pF
Anstiegs-/Abfallzeit: 0,2 ns bei 50 Ω Abschlusswiderstand
Grenzfrequenz: 1,5 GHz
Lagertemperatur: -50°C bis +100°C
Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C
Gehäuse: 2x1,75 mm top-looking FR4 Substrat mit Epoxid-Verguss (LLC)
Aktiver Durchmesser: 230 μm
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 800 nm
Durchbruchspannung Vbd: 120 V – 210 V (kann selektiert werden)
Temperaturkoeffizient von Vop für konstante Verstärkung: 0,5 V/°C
Verstärkung: 100 bei 800 nm
Empfindlichkeit: 50 A/W bei 800 nm
Dunkelstrom Id: typ: 0,05 nA, max:0,5 nA
Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
Kapazität: 1 pF
Anstiegs-/Abfallzeit: 0,2 ns bei 50 Ω Abschlusswiderstand
Grenzfrequenz: 1,5 GHz
Lagertemperatur: -50°C bis +100°C
Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C
Gehäuse: 2x1,75 mm top-looking FR4 Substrat mit Epoxid-Verguss (LLC)