C30737LH-500-83N – Si APD, 500 µm, LCC Gehäuse, 650 nm Filter
Die C30737LH-500-83N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit 650 nm Bandpassfilter geliefert und besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm.
Hauptmerkmale:
- Hohe Empfindlichkeit mit Filter bei 650 nm
- Geringes Rauschen und extrem schnelle Anstiegszeit mit einer Grenzfrequenz von über 1,3 GHz
- Aktiver Durchmesser von 230 μm
- Optischer Bandpassfilter bei 650 nm
- SMD Keramikgehäuse
Anwendungen:
- LiDAR
- Laserbasierte Entfernungsmessung
- Laser Scanner
- Anwendungen, die einen kostengünstigen, hochleistungsfähigen Detektor erfordern
Aktiver Durchmesser: 500 μm
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 650 nm
Durchbruchspannung Vbd: 120 V – 210 V (kann selektiert werden)
Temperaturkoeffizient von Vop für konstante Verstärkung: 0,5 V/°C
Verstärkung: 100 @ 650 nm
Empfindlichkeit: 35 A/W bei 650 nm
Dunkelstrom Id: typ. 0,1 nA, max. 1 nA
Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
Kapazität: 2 pF
Anstiegs-/Abfallzeit: 0,3 ns bei 50 Ω Abschlusswiderstand
Grenzfrequenz: 1,3 GHz
Lagertemperatur: -50°C bis +100°C
Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C
Gehäuse: 3x3 mm, LCC Keramikgehäuse
Fenster: 650 nm Filter
Aktiver Durchmesser: 500 μm
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 650 nm
Durchbruchspannung Vbd: 120 V – 210 V (kann selektiert werden)
Temperaturkoeffizient von Vop für konstante Verstärkung: 0,5 V/°C
Verstärkung: 100 @ 650 nm
Empfindlichkeit: 35 A/W bei 650 nm
Dunkelstrom Id: typ. 0,1 nA, max. 1 nA
Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
Kapazität: 2 pF
Anstiegs-/Abfallzeit: 0,3 ns bei 50 Ω Abschlusswiderstand
Grenzfrequenz: 1,3 GHz
Lagertemperatur: -50°C bis +100°C
Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C
Gehäuse: 3x3 mm, LCC Keramikgehäuse
Fenster: 650 nm Filter