Excelitas C39737LH Silizium APD in LCC-Gehäuse
TEIL/ C30737LH-230-81N

C30737LH-230-81N – Si APD, 230 µm, LCC Gehäuse, 800 nm optimiert, 635 nm Bandpassfilter

Die C30737LH-230-81N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit 635 nm Bandpassfilter geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm.

Hauptmerkmale:

  • Hohe Empfindlichkeit mit Filter bei 635 nm
  • Geringes Rauschen und extrem schnelle Anstiegszeiten über alle Wellenlängen mit einer Grenzfrequenz von über 1,5 GHz
  • Aktiver Durchmesser von 230 μm, optimiert für 800 nm
  • Optischer Bandpassfilter bei 635 nm
  • SMD Keramikgehäuse

Anwendungen:

  • LiDAR
  • Laserbasierte Entfernungsmessung
  • Laser Scanner
  • Anwendungen, die einen kostengünstigen, hochleistungsfähigen Detektor erfordern

Aktiver Durchmesser 230 μm
Maximum der spektralen Empfindlichkeit 635 nm
Durchbruchspannung Vbd 120–210 (kann selektiert werden)
Temperatur-Koeffizient von Vop für konstante Verstärkung 0,5 V/°C
Verstärkung [#0] @ [#1] nm
Empfindlichkeit 35 A/W bei 800 nm
Dunkelstrom Id 0,05 <0,5 nA
Rauschstrom 0,1 pA/√Hz
Kapazität 1 pF
Anstiegs-/Abfallzeit 0,2 ns Lastwiderstand 50 Ω
Grenzfrequenz 1,5 GHz
Lagertemperatur -50°C bis +100°C
Betriebstemperatur -40°C bis +85°C
Gehäuse 3x3mm Glasfenster, bleifreier Keramikträger (LCC)
Fenster 635-nm-Filter
Aktiver Durchmesser 230 μm
Maximum der spektralen Empfindlichkeit 635 nm
Durchbruchspannung Vbd 120–210 (kann selektiert werden)
Temperatur-Koeffizient von Vop für konstante Verstärkung 0,5 V/°C
Verstärkung [#0] @ [#1] nm
Empfindlichkeit 35 A/W bei 800 nm
Dunkelstrom Id 0,05 <0,5 nA
Rauschstrom 0,1 pA/√Hz
Kapazität 1 pF
Anstiegs-/Abfallzeit 0,2 ns Lastwiderstand 50 Ω
Grenzfrequenz 1,5 GHz
Lagertemperatur -50°C bis +100°C
Betriebstemperatur -40°C bis +85°C
Gehäuse 3x3mm Glasfenster, bleifreier Keramikträger (LCC)
Fenster 635-nm-Filter
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