TEIL/ C30737LH-230-81N
C30737LH-230-81N – Si APD, 230 µm, LCC Gehäuse, 800 nm optimiert, 635 nm Bandpassfilter
Die C30737LH-230-81N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit 635 nm Bandpassfilter geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm.
Hauptmerkmale:
- Hohe Empfindlichkeit mit Filter bei 635 nm
- Geringes Rauschen und extrem schnelle Anstiegszeiten über alle Wellenlängen mit einer Grenzfrequenz von über 1,5 GHz
- Aktiver Durchmesser von 230 μm, optimiert für 800 nm
- Optischer Bandpassfilter bei 635 nm
- SMD Keramikgehäuse
Anwendungen:
- LiDAR
- Laserbasierte Entfernungsmessung
- Laser Scanner
- Anwendungen, die einen kostengünstigen, hochleistungsfähigen Detektor erfordern
Aktiver Durchmesser: 230 μm
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 635 nm
Durchbruchspannung Vbd: 120 V – 210 V (kann selektiert werden)
Temperaturkoeffizient von Vop für konstante Verstärkung: 0,5 V/°C
Verstärkung: 100 @ 635 nm
Empfindlichkeit: 35 A/W bei 800 nm
Dunkelstrom Id: 0,05 <0.5 nA
Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
Kapazität: 1 pF
Anstiegs-/Abfallzeit: 0,2 ns bei 50 Ω Abschlusswiderstand
Grenzfrequenz: 1,5 GHz
Lagertemperatur: -50°C bis +100°C
Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C
Gehäuse: 3x3 mm, LCC Keramikgehäuse
Fenster: 635 nm Filter
Aktiver Durchmesser: 230 μm
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 635 nm
Durchbruchspannung Vbd: 120 V – 210 V (kann selektiert werden)
Temperaturkoeffizient von Vop für konstante Verstärkung: 0,5 V/°C
Verstärkung: 100 @ 635 nm
Empfindlichkeit: 35 A/W bei 800 nm
Dunkelstrom Id: 0,05 <0.5 nA
Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
Kapazität: 1 pF
Anstiegs-/Abfallzeit: 0,2 ns bei 50 Ω Abschlusswiderstand
Grenzfrequenz: 1,5 GHz
Lagertemperatur: -50°C bis +100°C
Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C
Gehäuse: 3x3 mm, LCC Keramikgehäuse
Fenster: 635 nm Filter