TEIL/ C30737MH-500-80N
C30737MH-500-80N – Si APD, 500 µm, LLC Gehäuse, 800 nm optimiert
Die Avalanche-Photodiode (APD) C30737MH-500-80N besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm in einem Leadless Laminate Carrier (LLC) Gehäuse und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm.
Hauptmerkmale:
- Hohe Empfindlichkeit zwischen 500 nm und 1000 nm
- Geringes Rauschen und extrem schnelle Anstiegszeiten über alle Wellenlängen mit einer Grenzfrequenz von über 1,3 GHz
- Aktiver Durchmesser von 500 μm, optimiert für maximale Empfindlichkeit bei 800 nm
- Leadless Laminate Carrier (LLC) SMD Gehäuse
Anwendungen:
- LiDAR
- Laserbasierte Entfernungsmessung
- Laser Scanner
- Anwendungen, die einen kostengünstigen, hochleistungsfähigen Detektor erfordern
| Aktiver Durchmesser | 500 μm |
| Maximum der spektralen Empfindlichkeit | 800 nm |
| Durchbruchspannung Vbd | 120–210 (kann selektiert werden) |
| Temperatur-Koeffizient von Vop für konstante Verstärkung | 0,5 V/°C |
| Verstärkung | 100 @800nm |
| Empfindlichkeit | 50 A/W bei 800 nm |
| Dunkelstrom Id | 0,1 <1 nA |
| Rauschstrom | 0,1 pA/√Hz |
| Kapazität | 2 pF |
| Anstiegs-/Abfallzeit | 0,3 ns Lastwiderstand 50 Ω |
| Grenzfrequenz | 1,3 GHz |
| Lagertemperatur | -50°C bis +100°C |
| Betriebstemperatur | -40°C bis +85°C |
| Gehäuse | 2 x 1,75 mm top-looking FR4 Substrat mit Epoxid-Verguss |
| Aktiver Durchmesser | 500 μm |
| Maximum der spektralen Empfindlichkeit | 800 nm |
| Durchbruchspannung Vbd | 120–210 (kann selektiert werden) |
| Temperatur-Koeffizient von Vop für konstante Verstärkung | 0,5 V/°C |
| Verstärkung | 100 @800nm |
| Empfindlichkeit | 50 A/W bei 800 nm |
| Dunkelstrom Id | 0,1 <1 nA |
| Rauschstrom | 0,1 pA/√Hz |
| Kapazität | 2 pF |
| Anstiegs-/Abfallzeit | 0,3 ns Lastwiderstand 50 Ω |
| Grenzfrequenz | 1,3 GHz |
| Lagertemperatur | -50°C bis +100°C |
| Betriebstemperatur | -40°C bis +85°C |
| Gehäuse | 2 x 1,75 mm top-looking FR4 Substrat mit Epoxid-Verguss |