C30737CH-300-70 – Si APD, 300 µm, side-looking LLC SMD Gehäuse
Die C30737CH-300-70 Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm und hat einen aktiven Durchmesser von 300 µm in einem Leadless Laminate Carrier (LLC) Gehäuse
Hauptmerkmale:
- Hohe Empfindlichkeit zwischen 500 nm und 1000 nm
- Geringes Rauschen und extrem schnelle Anstiegszeit mit einer Grenzfrequenz von über 700 MHz
- Aktiver Durchmesser von 300 μm, optimiert für 800 nm
- Leadless Laminate Carrier SMD package
Anwendungen:
- Laserbasierte Entfernungsmessung
- Lasermeter
- Laserscanner
- Anwendungen, die einen kostengünstigen, hochleistungsfähigen Detektor erfordern
Aktiver Durchmesser: 300 μm
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 800 nm
Durchbruchspannung Vbd: 110 V – 160 V
Verstärkung: 100 @ 800 nm
Empfindlichkeit: 35 A/W bei 635 nm
Dunkelstrom: 1 nA
Rauschstrom: 0,2 pA/√Hz
Kapazität: 0,7 pF
Grenzfrequenz: 700 MHz
Lagertemperatur: -20°C bis +70°C
Betriebstemperatur: -10°C bis +50°C
Gehäuse: 2x4 mm FR4 side looking LLC Gehäuse mit Epoxid-Verguss
Aktiver Durchmesser: 300 μm
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 800 nm
Durchbruchspannung Vbd: 110 V – 160 V
Verstärkung: 100 @ 800 nm
Empfindlichkeit: 35 A/W bei 635 nm
Dunkelstrom: 1 nA
Rauschstrom: 0,2 pA/√Hz
Kapazität: 0,7 pF
Grenzfrequenz: 700 MHz
Lagertemperatur: -20°C bis +70°C
Betriebstemperatur: -10°C bis +50°C
Gehäuse: 2x4 mm FR4 side looking LLC Gehäuse mit Epoxid-Verguss