Excelitas C39737LH Silizium APD in LCC-Gehäuse
TEIL/ C30737LH-500-90N

C30737LH-500-90N – Si APD, 500 µm, LCC Gehäuse, 900 nm optimiert

Die C30737LH-500-90N Silizium Avalanche-Photodiode (APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 900 nm.

Hauptmerkmale:

  • Hohe Empfindlichkeit zwischen 500 nm und 1000 nm
  • Geringes Rauschen und extrem schnelle Anstiegszeit mit einer Grenzfrequenz von über 380 MHz
  • Aktiver Durchmesser von 500 μm, optimiert für maximale Empfindlichkeit bei 900 nm
  • SMD Keramikgehäuse

Anwendungen:

  • LiDAR
  • Laserbasierte Entfernungsmessung
  • Laser Scanner
  • Anwendungen, die einen kostengünstigen, hochleistungsfähigen Detektor erfordern

Aktiver Durchmesser: 230 μm

Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 905 nm

Durchbruchspannung Vbd: 180 V – 260 V (kann selektiert werden)

Temperaturkoeffizient von Vop für konstante Verstärkung: 1,3 V/°C

Verstärkung: 100 @ 900 nm

Empfindlichkeit: 60 A/W bei 900 nm

Dunkelstrom Id: 0,1 <1 nA

Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz

Kapazität: 1 pF

Anstiegs-/Abfallzeit: 0,9 ns bei 50 Ω Abschlusswiderstand

Grenzfrequenz: 380 MHz

Lagertemperatur: -50°C bis +100°C

Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C

Gehäuse: 3x3 mm Glasfenster, bleifreier Keramikträger (LCC)

Fenster: Standardfenster

Aktiver Durchmesser: 230 μm

Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 905 nm

Durchbruchspannung Vbd: 180 V – 260 V (kann selektiert werden)

Temperaturkoeffizient von Vop für konstante Verstärkung: 1,3 V/°C

Verstärkung: 100 @ 900 nm

Empfindlichkeit: 60 A/W bei 900 nm

Dunkelstrom Id: 0,1 <1 nA

Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz

Kapazität: 1 pF

Anstiegs-/Abfallzeit: 0,9 ns bei 50 Ω Abschlusswiderstand

Grenzfrequenz: 380 MHz

Lagertemperatur: -50°C bis +100°C

Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C

Gehäuse: 3x3 mm Glasfenster, bleifreier Keramikträger (LCC)

Fenster: Standardfenster

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