C30737LH-300-70N – Si APD, 300 µm, LCC Gehäuse
Die C30737LH-300-70N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 300 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm.
Hauptmerkmale:
- Hohe Empfindlichkeit zwischen 500 nm und 1000 nm
- Geringes Rauschen und extrem schnelle Anstiegszeit mit einer Grenzfrequenz von über 700 MHz
- Aktiver Durchmesser von 300 μm, optimiert für Empfindlichkeit bei 800 nm.
- SMD Keramikgehäuse
Anwendungen:
- Laserbasierte Entfernungsmessung
- Lasermeter
- Laserscanner
- Anwendungen, die einen kostengünstigen, hochleistungsfähigen Detektor erfordern
Aktiver Durchmesser: 300 μm
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 800 nm
Durchbruchspannung Vbd: 110 V – 165 V
Temperatur-Koeffizient von Vop für die Konstante M: 0,6 V/°C
Verstärkung: 100 @ 800 nm
Empfindlichkeit: 55 A/W bei 800 nm
Dunkelstrom: 1 nA
Rauschstrom: 0,2 pA/√Hz
Kapazität: 0,7 pF
Grenzfrequenz: 700 MHz
Lagertemperatur: -40°C bis +100°C
Betriebstemperatur: -20°C bis +60°C
Gehäuse: 3x3 mm Glasfenster, LCC Keramikgehäuse
Fenster: Standardfenster
Aktiver Durchmesser: 300 μm
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 800 nm
Durchbruchspannung Vbd: 110 V – 165 V
Temperatur-Koeffizient von Vop für die Konstante M: 0,6 V/°C
Verstärkung: 100 @ 800 nm
Empfindlichkeit: 55 A/W bei 800 nm
Dunkelstrom: 1 nA
Rauschstrom: 0,2 pA/√Hz
Kapazität: 0,7 pF
Grenzfrequenz: 700 MHz
Lagertemperatur: -40°C bis +100°C
Betriebstemperatur: -20°C bis +60°C
Gehäuse: 3x3 mm Glasfenster, LCC Keramikgehäuse
Fenster: Standardfenster