TEIL/ C30737LH-300-70N
C30737LH-300-70N – Si APD, 300 µm, LCC Gehäuse
Die C30737LH-300-70N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 300 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm.
Hauptmerkmale:
- Hohe Empfindlichkeit zwischen 500 nm und 1000 nm
- Geringes Rauschen und extrem schnelle Anstiegszeit mit einer Grenzfrequenz von über 700 MHz
- Aktiver Durchmesser von 300 μm, optimiert für Empfindlichkeit bei 800 nm.
- SMD Keramikgehäuse
Anwendungen:
- Laserbasierte Entfernungsmessung
- Lasermeter
- Laserscanner
- Anwendungen, die einen kostengünstigen, hochleistungsfähigen Detektor erfordern
- Aktiver Durchmesser: 300 μm
- Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 800 nm
- Durchbruchspannung Vbd: 110 V – 165 V
- Temperatur-Koeffizient von Vop für die Konstante M: 0,6 V/°C
- Verstärkung: 100 @ 800 nm
- Empfindlichkeit: 55 A/W bei 800 nm
- Dunkelstrom: 1 nA
- Rauschstrom: 0,2 pA/√Hz
- Kapazität: 0,7 pF
- Grenzfrequenz: 700 MHz
- Lagertemperatur: -40°C bis +100°C
- Betriebstemperatur: -20°C bis +60°C
- Gehäuse: 3x3 mm Glasfenster, LCC Keramikgehäuse
- Fenster: Standardfenster
- Aktiver Durchmesser: 300 μm
- Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 800 nm
- Durchbruchspannung Vbd: 110 V – 165 V
- Temperatur-Koeffizient von Vop für die Konstante M: 0,6 V/°C
- Verstärkung: 100 @ 800 nm
- Empfindlichkeit: 55 A/W bei 800 nm
- Dunkelstrom: 1 nA
- Rauschstrom: 0,2 pA/√Hz
- Kapazität: 0,7 pF
- Grenzfrequenz: 700 MHz
- Lagertemperatur: -40°C bis +100°C
- Betriebstemperatur: -20°C bis +60°C
- Gehäuse: 3x3 mm Glasfenster, LCC Keramikgehäuse
- Fenster: Standardfenster