TEIL/ C30737MH-230-90N
C30737MH-230-90N – Si APD, 230 µm, LLC Gehäuse, 900 nm optimiert
Die C30737MH-230-90N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem LLC Gehäuse geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 900 nm.
Hauptmerkmale:
- Hohe Empfindlichkeit zwischen 500 nm und 1000 nm
- Geringes Rauschen und extrem schnelle Anstiegszeiten über alle Wellenlängen mit einer Grenzfrequenz von über 380 MHz
- Aktiver Durchmesser von 230 μm, optimiert für maximale Empfindlichkeit bei 900 nm
- Leadless Laminate Carrier (LLC) SMD Gehäuse
Anwendungen:
- LiDAR
- Laserbasierte Entfernungsmessung
- Laser Scanner
- Anwendungen, die einen kostengünstigen, hochleistungsfähigen Detektor erfordern
- Aktiver Durchmesser: 230 μm
- Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 900 nm
- Durchbruchspannung Vbd: 180 V – 260 V (kann selektiert werden)
- Temperaturkoeffizient von Vop für konstante Verstärkung: 1,3 V/°C
- Verstärkung: 100 @ 900 nm
- Empfindlichkeit: 60 A/W bei 900 nm
- Dunkelstrom Id: 0,05 <0.5 nA
- Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
- Kapazität: 0,6 pF
- Anstiegs-/Abfallzeit: 0,9 ns bei 50 Ω Abschlusswiderstand
- Grenzfrequenz: 380 MHz
- Lagertemperatur: -50°C bis +100°C
- Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C
- Gehäuse: 2 x 1,75 mm top-looking FR4 Substrat mit Epoxid-Verguss
- Aktiver Durchmesser: 230 μm
- Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 900 nm
- Durchbruchspannung Vbd: 180 V – 260 V (kann selektiert werden)
- Temperaturkoeffizient von Vop für konstante Verstärkung: 1,3 V/°C
- Verstärkung: 100 @ 900 nm
- Empfindlichkeit: 60 A/W bei 900 nm
- Dunkelstrom Id: 0,05 <0.5 nA
- Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
- Kapazität: 0,6 pF
- Anstiegs-/Abfallzeit: 0,9 ns bei 50 Ω Abschlusswiderstand
- Grenzfrequenz: 380 MHz
- Lagertemperatur: -50°C bis +100°C
- Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C
- Gehäuse: 2 x 1,75 mm top-looking FR4 Substrat mit Epoxid-Verguss