TEIL/ C30737LH-500-92N
C30737LH-500-92N – Si APD, 500 µm, LCC Gehäuse, 905 nm Filter
Die C30737LH-500-92N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit einem 905 nm Bandpassfilter geliefert und besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm.
Hauptmerkmale:
- Hohe Empfindlichkeit mit Filter bei 905 nm
- Geringes Rauschen und extrem schnelle Anstiegszeit mit einer Grenzfrequenz von über 380 MHz
- Aktiver Durchmesser von 500 μm
- Optischer Bandpassfilter bei 905 nm
- SMD Keramikgehäuse
Anwendungen:
- LiDAR
- Laserbasierte Entfernungsmessung
- Laser Scanner
- Anwendungen, die einen kostengünstigen, hochleistungsfähigen Detektor erfordern
| Aktiver Durchmesser | 500 μm |
| Maximum der spektralen Empfindlichkeit | 905 nm |
| Durchbruchspannung Vbd | 180–260 (kann selektiert werden) |
| Temperatur-Koeffizient von Vop für konstante Verstärkung | 1,3 V/°C |
| Verstärkung | [#0] @ [#1] nm |
| Empfindlichkeit | 60 A/W bei 900 nm |
| Dunkelstrom Id | 0.1 <1.0 nA |
| Rauschstrom | 0,1 pA/√Hz |
| Kapazität | 1 pF |
| Anstiegs-/Abfallzeit | 0,9 ns Lastwiderstand 50 Ω |
| Grenzfrequenz | 380 MHz |
| Lagertemperatur | -50°C bis +100°C |
| Betriebstemperatur | -40°C bis +85°C |
| Gehäuse | 3 x 3 mm Glasfenster, bleifreier Keramikträger (LCC) |
| Fenster | 905-nm-Filter |
| Aktiver Durchmesser | 500 μm |
| Maximum der spektralen Empfindlichkeit | 905 nm |
| Durchbruchspannung Vbd | 180–260 (kann selektiert werden) |
| Temperatur-Koeffizient von Vop für konstante Verstärkung | 1,3 V/°C |
| Verstärkung | [#0] @ [#1] nm |
| Empfindlichkeit | 60 A/W bei 900 nm |
| Dunkelstrom Id | 0.1 <1.0 nA |
| Rauschstrom | 0,1 pA/√Hz |
| Kapazität | 1 pF |
| Anstiegs-/Abfallzeit | 0,9 ns Lastwiderstand 50 Ω |
| Grenzfrequenz | 380 MHz |
| Lagertemperatur | -50°C bis +100°C |
| Betriebstemperatur | -40°C bis +85°C |
| Gehäuse | 3 x 3 mm Glasfenster, bleifreier Keramikträger (LCC) |
| Fenster | 905-nm-Filter |