TEIL/ C30737LH-230-83N
C30737LH-230-83N – Si APD, 230 µm, LCC Gehäuse, 800 nm optimiert, 650 nm Bandpassfilter
Die C30737LH-230-83N Silizium-Avalanche-Fotodiode (Si APD) bietet einen aktiven Durchmesser von 230 µm mit verbesserter 800-nm-Reaktion und 650 nm optischem Bandpass in einem bleifreien Keramikträger (LCC).
Hauptmerkmale:
- Hohe Empfindlichkeit mit Filter bei 650 nm
- Geringes Rauschen und extrem schnelle Anstiegszeit mit einer Grenzfrequenz von über 1,5 GHz
- Aktiver Durchmesser von 230 μm
- Optischer Bandpassfilter bei 650 nm
- SMD Keramikgehäuse (LCC)
Anwendungen:
- LiDAR
- Laserbasierte Entfernungsmessung
- Laser Scanner
- Anwendungen, die einen kostengünstigen, hochleistungsfähigen Detektor erfordern
| Aktiver Durchmesser | 230 μm |
| Maximum der spektralen Empfindlichkeit | 650 nm |
| Durchbruchspannung Vbd | 120–210 (kann selektiert werden) |
| Temperatur-Koeffizient von Vop für konstante Verstärkung | 0,5 V/°C |
| Verstärkung | [#0] @ [#1] nm |
| Empfindlichkeit | 35 A/W bei 650 nm |
| Dunkelstrom Id | 0,05 <0,5 nA |
| Rauschstrom | 0,1 pA/√Hz |
| Kapazität | 1 pF |
| Anstiegs-/Abfallzeit | 0,2 ns Lastwiderstand 50 Ω |
| Grenzfrequenz | 1,5 GHz |
| Lagertemperatur | -50°C bis +100°C |
| Betriebstemperatur | -40°C bis +85°C |
| Gehäuse | 3x3 mm Glasfenster, bleifreier Keramikträger (LCC) |
| Fenster | 650-nm-Filter |
| Aktiver Durchmesser | 230 μm |
| Maximum der spektralen Empfindlichkeit | 650 nm |
| Durchbruchspannung Vbd | 120–210 (kann selektiert werden) |
| Temperatur-Koeffizient von Vop für konstante Verstärkung | 0,5 V/°C |
| Verstärkung | [#0] @ [#1] nm |
| Empfindlichkeit | 35 A/W bei 650 nm |
| Dunkelstrom Id | 0,05 <0,5 nA |
| Rauschstrom | 0,1 pA/√Hz |
| Kapazität | 1 pF |
| Anstiegs-/Abfallzeit | 0,2 ns Lastwiderstand 50 Ω |
| Grenzfrequenz | 1,5 GHz |
| Lagertemperatur | -50°C bis +100°C |
| Betriebstemperatur | -40°C bis +85°C |
| Gehäuse | 3x3 mm Glasfenster, bleifreier Keramikträger (LCC) |
| Fenster | 650-nm-Filter |