TEIL/ C30737PH-500-90N
C30737PH-500-90N – Si APD, 500 µm, Kunststoffgehäuse, 900 nm optimiert
Die C30737PH-500-90N Silizium Avalanche-Fotodiode (APD) wird in einem T 1¾ Kunststoffgfehäuse geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm und bietet eine optimierte Emfpindlichkeit bei 900 nm.
Hauptmerkmale:
- Hohe Empfindlichkeit zwischen 500 nm und 1000 nm
- Geringes Rauschen und extrem schnelle Anstiegszeiten über alle Wellenlängen mit einer Grenzfrequenz von über 380 MHz
- Aktiver Durchmesser von 500 μm, optimiert für maximale Empfindlichkeit bei 900 nm
- Kunststoffgehäuse T 1¾
Anwendungen:
- LiDAR
- Laserbasierte Entfernungsmessung
- Laser Scanner
- Anwendungen, die einen kostengünstigen, hochleistungsfähigen Detektor erfordern
- Aktiver Durchmesser: 500 μm
- Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 900 nm
- Durchbruchspannung Vbd: 180 V – 260 V (kann selektiert werden)
- Temperaturkoeffizient von Vop für konstante Verstärkung: 1,3 V/°C
- Verstärkung: 100 bei 900 nm
- Empfindlichkeit: 60 A/W bei 800 nm
- Dunkelstrom Id: 0,1 <1 nA
- Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
- Kapazität: 1 pF
- Anstiegs-/Abfallzeit: 0,9 ns bei 50 Ω Abschlusswiderstand
- Grenzfrequenz: 380 MHz
- Lagertemperatur: -50°C bis +100°C
- Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C
- Gehäuse: Kunststoff T1¾
- Aktiver Durchmesser: 500 μm
- Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 900 nm
- Durchbruchspannung Vbd: 180 V – 260 V (kann selektiert werden)
- Temperaturkoeffizient von Vop für konstante Verstärkung: 1,3 V/°C
- Verstärkung: 100 bei 900 nm
- Empfindlichkeit: 60 A/W bei 800 nm
- Dunkelstrom Id: 0,1 <1 nA
- Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
- Kapazität: 1 pF
- Anstiegs-/Abfallzeit: 0,9 ns bei 50 Ω Abschlusswiderstand
- Grenzfrequenz: 380 MHz
- Lagertemperatur: -50°C bis +100°C
- Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C
- Gehäuse: Kunststoff T1¾