C30737PH-500-90N – Si APD, 500 µm, Kunststoffgehäuse, 900 nm optimiert
Die C30737PH-500-90N Silizium Avalanche-Fotodiode (APD) wird in einem T 1¾ Kunststoffgfehäuse geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm und bietet eine optimierte Emfpindlichkeit bei 900 nm.
Hauptmerkmale:
- Hohe Empfindlichkeit zwischen 500 nm und 1000 nm
- Geringes Rauschen und extrem schnelle Anstiegszeiten über alle Wellenlängen mit einer Grenzfrequenz von über 380 MHz
- Aktiver Durchmesser von 500 μm, optimiert für maximale Empfindlichkeit bei 900 nm
- Kunststoffgehäuse T 1¾
Anwendungen:
- LiDAR
- Laserbasierte Entfernungsmessung
- Laser Scanner
- Anwendungen, die einen kostengünstigen, hochleistungsfähigen Detektor erfordern
Aktiver Durchmesser: 500 μm
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 900 nm
Durchbruchspannung Vbd: 180 V – 260 V (kann selektiert werden)
Temperaturkoeffizient von Vop für konstante Verstärkung: 1,3 V/°C
Verstärkung: 100 bei 900 nm
Empfindlichkeit: 60 A/W bei 800 nm
Dunkelstrom Id: typ. 0,1 nA, max. 1 nA
Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
Kapazität: 1 pF
Anstiegs-/Abfallzeit: 0,9 ns bei 50 Ω Abschlusswiderstand
Grenzfrequenz: 380 MHz
Lagertemperatur: -50°C bis +100°C
Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C
Gehäuse: Kunststoff T1¾
Aktiver Durchmesser: 500 μm
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 900 nm
Durchbruchspannung Vbd: 180 V – 260 V (kann selektiert werden)
Temperaturkoeffizient von Vop für konstante Verstärkung: 1,3 V/°C
Verstärkung: 100 bei 900 nm
Empfindlichkeit: 60 A/W bei 800 nm
Dunkelstrom Id: typ. 0,1 nA, max. 1 nA
Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
Kapazität: 1 pF
Anstiegs-/Abfallzeit: 0,9 ns bei 50 Ω Abschlusswiderstand
Grenzfrequenz: 380 MHz
Lagertemperatur: -50°C bis +100°C
Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C
Gehäuse: Kunststoff T1¾