High-Performance InGaAs APDs

Die High-Performance InGaAs Avalanche-Photodioden (APDs) der Serien C30644, C30645 und C30662 sind schnelle und großflächige Photodioden basierend auf einer InGaAs/lnP Struktur. Diese Dioden bieten hohe Quantenausbeute, hohe Empfindlichkeit und geringes Rauschen im Spektralbereich zwischen 1100 nm und 1700 nm. Sie sind für den Einsatz bei einer Wellenlänge von 1550 nm optimiert und ideal für den Einsatz in augensicheren Laser Entfernungsmesssystemen geeignet.

Hochleistungsfähige InGaAs-Avalanche-Photodioden

Produktliste

Excelitas InGaAs-APD C30645 mit Keramikmitnehmer
Teilenummer
C30645ECERH

C30645ECERH – InGaAS APD, 80 µm, Keramiksubstrat

Die großflächige C30645ECERH InGaAs Avalanche-Photodiode (APD) besitzt einen aktiven Durchmesser von 80 µm auf einem keramischen Substrat.
Excelitas C30645 InGaAs-APD mit Keramikträger und kleiner Blende
Teilenummer
C30645EH

C30645EH – InGaAs APD, 80 µm, flaches TO-18 Gehäuse

Die großflächige C30645EH ist eine InGaAs Avalanche-Photodiode mit einem aktiven Durchmesser von 80 µm in einem hermetischen TO-18 Gehäuse mit kleiner Siliziumapertur.
Excelitas C30645L-080 Großflächige InGaAs-Avalanche-Photodiode
Teilenummer
C30645L-080

C30645L-080  InGaAs APD, 80 um, SMD-Gehäuse

Die C30645L-080 Avalanche-Photodioden von Excelitas sind schnelle, großflächige InGaAs-APDs, mit hoher Quantenausbeute und hoher Empfindlichkeit bei geringem Rauschen im Spektralbereich zwischen 1000 nm und 1700 nm. Diese Photodioden weisen einen aktiven Durchmesser von 80 µm auf in einem kompakten SMD-Gehäuse.
Keramischer Mitnehmer
Teilenummer
C30662ECERH

C30662ECERH – InGaAs APD, 200 µm, Keramiksubstrat

Die C30662ECERH InGaAs Avalanche-Photodiode (APD) bietet einen aktiven Durchmesser von 200 µm auf einem keramischen Substrat.
Excelitas InGaAs-APD C30662 in Keramikträger
Teilenummer
C30662ECERH-1

C30662ECERH-1 – InGaAs-APD, 200 µm, Keramiksubstrat

Die großflächige C30662ECERH-1 InGaAs Avalanche-Photodiode (APD) besitzt einen aktiven Durchmesser von 200 µm und wird auf einem keramischen Substrat mit Delta V > 4 V geliefert.
Excelitas C30645 InGaAs-APD mit Keramikträger und kleiner Blende, TO-18
Teilenummer
C30662EH

C30662EH – InGaAs APD, 200 µm, TO-18 Gehäuse

Das Modell C30662EH ist eine großflächige InGaAs Avalanche-Photodiode (APD), besitzt einen aktiven Durchmesser von 200 µm und wird in einem hermetischen TO-18 Gehäuse mit Glasfenster und großer Apertur geliefert.
Keramischer Mitnehmer und TO-18 mit kleiner Öffnung
Teilenummer
C30662EH-1

C30662EH-1 – InGaAs APD, 200 µm, TO-18 Gehäuse

Die C30662EH-1 InGaAs Avalanche-Photodiode (APD) besitzt einen aktiven Durchmesser von 200 µm in einem hermetischen TO-18 Gehäuse mit großer Apertur und  ist nach Delta V selektiert.
Excelitas C30662 InGaAS Si APD
Teilenummer
C30662EH-3

C30662EH-3 – InGaAs APD, 200 µm, TO-18 Gehäuse, kleine Apertur

Die großflächige C30662EH-3 InGaAs Avalanche-Photodiode (APD) besitzt einen aktiven Durchmesser von 200 µm und wird in einem hermetischen TO-18 Gehäuse mit Glasfenster und kleiner Öffnung geliefert.
Excelitas C30662L-200 Großflächige InGaAs-Avalanche-Photodiode
Teilenummer
C30662L-200

C30662L-200  InGaAs APD, 200 um, SMD-Gehäuse

Die C30662L-200 Avalanche-Photodioden von Excelitas sind schnelle, großflächige InGaAs-APDs mit hoher Quantenausbeute und Empfindlichkeit, die geringes Rauschen im Spektralbereich zwischen 1000 nm und 1700 nm bieten. Die C30662L-200 Photodioden sind ausgestattet mit einem aktiven Durchmesser von 200 µm in einem kompakten SMD-Gehäuse.
Excelitas C30733EH-1 InGaAs APD, 30 µm, TO-18 Niedrigprofil
Teilenummer
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C30733EH-1 – InGaAs APD, 30 µm, TO-18 Niedrigprofil

Die kleinflächige C30733EH-1 InGaAs Avalanche-Photodiode bietet einen aktiven Durchmesser von 30 µm und wird in einem hermetischen TO-18-Gehäuse geliefert. Die C30733EH-1 ist für den Wellenlängenbereich von 1310 nm bis 1650 nm optimiert und eignet sich für High-End-Prüfgeräte, bei denen eine extrem schnelle Ansprech- und Erholungszeit erforderlich ist, wie z. B. OTDRs in der Telekommunikation.