Teilenummer
C30645ECERH
C30645ECERH – InGaAS APD, 80 µm, Keramiksubstrat
Die großflächige C30645ECERH InGaAs Avalanche-Photodiode (APD) besitzt einen aktiven Durchmesser von 80 µm auf einem keramischen Substrat.
High-Performance InGaAs APDs
Die High-Performance InGaAs Avalanche-Photodioden (APDs) der Serien C30644, C30645 und C30662 sind schnelle und großflächige Photodioden basierend auf einer InGaAs/lnP Struktur. Diese Dioden bieten hohe Quantenausbeute, hohe Empfindlichkeit und geringes Rauschen im Spektralbereich zwischen 1100 nm und 1700 nm. Sie sind für den Einsatz bei einer Wellenlänge von 1550 nm optimiert und ideal für den Einsatz in augensicheren Laser Entfernungsmesssystemen geeignet.
Produktliste
Teilenummer
C30645EH
C30645EH – InGaAs APD, 80 µm, flaches TO-18 Gehäuse
Die großflächige C30645EH ist eine InGaAs Avalanche-Photodiode mit einem aktiven Durchmesser von 80 µm in einem hermetischen TO-18 Gehäuse mit kleiner Siliziumapertur.
Teilenummer
C30645L-080
C30645L-080 InGaAs APD, 80 um, SMD-Gehäuse
Die C30645L-080 Avalanche-Photodioden von Excelitas sind schnelle, großflächige InGaAs-APDs, mit hoher Quantenausbeute und hoher Empfindlichkeit bei geringem Rauschen im Spektralbereich zwischen 1000 nm und 1700 nm. Diese Photodioden weisen einen aktiven Durchmesser von 80 µm auf in einem kompakten SMD-Gehäuse.
Teilenummer
C30662ECERH
C30662ECERH – InGaAs APD, 200 µm, Keramiksubstrat
Die C30662ECERH InGaAs Avalanche-Photodiode (APD) bietet einen aktiven Durchmesser von 200 µm auf einem keramischen Substrat.
Teilenummer
C30662ECERH-1
C30662ECERH-1 – InGaAs-APD, 200 µm, Keramiksubstrat
Die großflächige C30662ECERH-1 InGaAs Avalanche-Photodiode (APD) besitzt einen aktiven Durchmesser von 200 µm und wird auf einem keramischen Substrat mit Delta V > 4 V geliefert.
Teilenummer
C30662EH
C30662EH – InGaAs APD, 200 µm, TO-18 Gehäuse
Das Modell C30662EH ist eine großflächige InGaAs Avalanche-Photodiode (APD), besitzt einen aktiven Durchmesser von 200 µm und wird in einem hermetischen TO-18 Gehäuse mit Glasfenster und großer Apertur geliefert.
Teilenummer
C30662EH-1
C30662EH-1 – InGaAs APD, 200 µm, TO-18 Gehäuse
Die C30662EH-1 InGaAs Avalanche-Photodiode (APD) besitzt einen aktiven Durchmesser von 200 µm in einem hermetischen TO-18 Gehäuse mit großer Apertur und ist nach Delta V selektiert.
Teilenummer
C30662EH-3
C30662EH-3 – InGaAs APD, 200 µm, TO-18 Gehäuse, kleine Apertur
Die großflächige C30662EH-3 InGaAs Avalanche-Photodiode (APD) besitzt einen aktiven Durchmesser von 200 µm und wird in einem hermetischen TO-18 Gehäuse mit Glasfenster und kleiner Öffnung geliefert.
Teilenummer
C30662L-200
C30662L-200 InGaAs APD, 200 um, SMD-Gehäuse
Die C30662L-200 Avalanche-Photodioden von Excelitas sind schnelle, großflächige InGaAs-APDs mit hoher Quantenausbeute und Empfindlichkeit, die geringes Rauschen im Spektralbereich zwischen 1000 nm und 1700 nm bieten. Die C30662L-200 Photodioden sind ausgestattet mit einem aktiven Durchmesser von 200 µm in einem kompakten SMD-Gehäuse.
Teilenummer
C30733BQC-01
C30733BQC-01 InGaAs APD, 30µm Fiber Pigtail with FC/APC Connector
The Excelitas C30733BQC-01 Avalanche Photodiode (APD) is a high speed, high gain, low noise InGaAs photonic detector. This InGaAs APD features a unique combination of high gain and fast recovery time coupled with low noise performance making it ideal for high end test equipment. With a typical operation gain of 40, the C30733BQC-01 is setting a new trend in high-speed applications that require best-in-class signal-to-noise ratio between 1000 nm and 1700 nm.
Teilenummer
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C30733EH-1 – InGaAs APD, 30 µm, TO-18 Niedrigprofil
Die kleinflächige C30733EH-1 InGaAs Avalanche-Photodiode bietet einen aktiven Durchmesser von 30 µm und wird in einem hermetischen TO-18-Gehäuse geliefert. Die C30733EH-1 ist für den Wellenlängenbereich von 1310 nm bis 1650 nm optimiert und eignet sich für High-End-Prüfgeräte, bei denen eine extrem schnelle Ansprech- und Erholungszeit erforderlich ist, wie z. B. OTDRs in der Telekommunikation.