High-Performance InGaAs APDs

Wenn es um herausragende, innovative photonische Lösungen geht, ist Excelitas weithin dafür bekannt, Spitzenlösungen zur präzisen Detektion von Lichtteilchen anzubieten und diese Performance zuverlässig für jedes Produkt in der jeweiligen Anwendung zu gewährleisten. Mit mehr als 30 Jahren Branchenerfahrung können Sie sich darauf verlassen, dass Excelitas Lösungen liefert, die Ihre Anforderungen erfüllen und Ihren Bedürfnissen gerecht werden. Unser umfassendes Portfolio an Photoniklösungen umfasst Hochleistungs-APDs aus InGaAs (Indium-Gallium-Arsenid), die sich durch eine hervorragende Quantenausbeute, Hochgeschwindigkeitsleistung und einfache Integration in bestehende Systeme auszeichnen. Unser exzellenter Ruf als Anbieter zuverlässiger Lösungen bedeutet, dass Sie Zugang zu überlegenen Technologien für Ihre geplanten Anwendungen erhalten.

Avalanche-Photodioden (APD) sind Halbleiter, die in erster Linie zur Detektion und Umwandlung von Lichtsignalen in elektrische Signale verwendet werden. Diese APDs können aus Indium, Gallium und Arsen gefertigt werden, was den Vorteil hat, dass sie Licht im nahen Infrarot (NIR) und im kurzwelligen Infrarot (SWIR) mit hoher Effizienz und Empfindlichkeit erkennen können. Sie sind auch mit bestehenden Technologien kompatibel und können in verschiedenste Gerätearchitekturen integriert werden, was die Integration in bestehende Anwendungen erleichtert, beispielsweise in der optischen Sensorik, bei LIDAR (Light Detection and Ranging) Anwendungen und bei der Photonenzählung und -detektion.

Excelitas bietet eine breite Auswahl an Hochleistungs-InGaAs-APDs an, die für die verschiedensten Anwendungen optimiert sind bei denen besonders empfindliche Sensoren zur Detektion von einzelnen Photonen im NIR- und SWIR-Bereich mit schnellen Ansprechzeiten erforderlich sind. Die folgenden Produkte bilden unser umfassendes InGaAs-APD-Angebot:

• C30645ECERH – InGaAS-APD, 80 µm, Keramik – bietet einen aktiven Durchmesser von 80 µm auf einem keramischen Substrat.
• C30645EH – InGaAs-APD, 80 µm, TO-18 mit niedrigem Profil – verfügt über einen aktiven Durchmesser von 80 µm in einem hermetisch versiegelten TO-18-Gehäuse und einem Siliziumfenster mit kleiner Apertur.
• C30645L-080 – InGaAs-APD, 80 µm, SMD-Gehäuse – Hochgeschwindigkeits-APDs, die eine hohe Empfindlichkeit und eine hohe Quantenausbeute bei geringem Rauschen im Spektralbereich von 1000 nm und 1700 nm bieten. Sie verfügen über einen aktiven Durchmesser von 80 µm in einem kompakten SMD-Gehäuse.
• C30662ECERH – InGaAs-APD, 200 µm, Keramik – Diese großflächige InGaAs-APD bietet einen aktiven Durchmesser von 200 µm auf einem keramischen Substrat.
• C30662ECERH-1 – InGaAs-APD, 200 µm, Keramik – bietet ebenfalls einen aktiven Durchmesser von 200 µm. Er wird auf einem keramischen Substrat mit einem Delta Vbd-Vop > 4 V geliefert.
• C30662EH – InGaAs-APD, 200 µm, TO-18 – ist in einem hermetisch versiegelten TO-18-Gehäuse mit einem Glasfenster mit großer Apertur untergebracht. Sie bietet einen aktiven Durchmesser von 200 µm.
• C30662EH-1 – InGaAs-APD, 200 µm, TO-18 – hat ähnliche Merkmale wie die C30662EH, verfügt aber zusätzlich über ein Delta Vbd-Vop > 4 V.
• C30662EH-3 – InGaAs-APD, 200 µm, TO-18 mit kleiner Apertur – ähnlich der C30662EH, sie verfügt über ein ähnliches Gehäuse, aber mit einem Glasfenster mit kleiner Apertur.
• C30662L-200 – InGaAs-APD, 200 µm, SMD-Gehäuse – Diese Hochleistungs-APDs besitzen eine hohe Geschwindigkeiten und große Detektionsflächen und bieten eine hohe Quantenausbeute und Empfindlichkeit bei minimalem Rauschen im Spektralbereich von 1000 nm und 1700 nm. Sie bieten einen aktiven Durchmesser von 200 µm in einem kompakten SMD-Gehäuse.
• C30733BQC-01 InGaAs-APD, 30 µm Fiber-Pigtail mit FC/APC-Steckverbinder – Dieser Hochgeschwindigkeitsdetektor mit hoher Verstärkung zeichnet sich durch eine einzigartige Kombination aus hoher Verstärkung, schneller Erholungszeit und geringem Rauschen aus. Damit ist er ideal für Highend-Prüfgeräte geeignet und setzt einen neuen Trend bei Hochgeschwindigkeitsanwendungen, die Signal-Rausch-Verhältnisse zwischen 1000 nm und 1700 nm erfordern.
• C30733EH-1 – InGaAs-APD, 30 µm, TO-18 mit niedrigem Profil – Optimiert für den Wellenlängenbereich von 1310 nm bis 1650 nm bietet diese kleinflächige APD einen aktiven Durchmesser von 30 µm in einem hermetischen TO-18-Gehäuse. Sie eignet sich für den Einsatz in Highend-Prüfgeräten, bei denen extrem schnelle Reaktions- und Erholungszeiten erforderlich sind.

Die Hochleistungs-InGaAs-APDs von Excelitas besitzen hochempfindliche Sensoren zur Detektion von einzelnen Photonen, die in den folgenden Anwendungen sehr gefragt sind:

• LiDAR-/ToF-Messungen
  • Augensichere Entfernungsmessung mittels Lasern
  • Großvolumige Verbraucheranwendungen
  • Optisches Zeitbereichsreflektometer (OTDR)​​​​​​​
  • Optische Kommunikationssysteme
  • Laserscanning
• Konfokale Mikroskopie
• Optische Kommunikation
• Spektrometer
• Fluoreszenzdetektion
• DNA-Sequenzierer
• Partikelgrößenbestimmung

Excelitas ist stolz darauf, eine breite Auswahl an Standard-Hochleistungs-InGaAs-APDs anbieten zu können. Sie ermöglichen die Entwicklung und Herstellung von zuverlässigen Geräte zur Erkennung und Messung von Licht im NIR- und SWIR-Bereich. Wir entwickeln hochqualitative Produkte, die den Anforderungen unserer OEM-Kunden entsprechen, so dass diese auch Lösungen herstellen können, die den Anforderungen ihrer Endkunden entsprechen. Wählen Sie aus unserem umfassendes Produktportfolio, um die passende Lösung für Ihre Anwendung zu finden. Sollten Sie spezielle Anforderungen haben, die in unserem Produktangebot nicht ohne weiteres verfügbar sind, können Sie uns diese gerne mitteilen, damit wir gemeinsam Lösungen entwickeln können, die Ihren spezifischen Anforderungen entsprechen, ohne Kompromisse bei Qualität, Kosten und Markteinführungszeit.