
Teilenummer
C30645ECERH
C30645ECERH – InGaAS APD, 80 µm, Keramiksubstrat
Die großflächige C30645ECERH InGaAs Avalanche-Photodiode (APD) besitzt einen aktiven Durchmesser von 80 µm auf einem keramischen Substrat.
Die High-Performance InGaAs Avalanche-Photodioden (APDs) der Serien C30644, C30645 und C30662 sind schnelle und großflächige Photodioden basierend auf einer InGaAs/lnP Struktur. Diese Dioden bieten hohe Quantenausbeute, hohe Empfindlichkeit und geringes Rauschen im Spektralbereich zwischen 1100 nm und 1700 nm. Sie sind für den Einsatz bei einer Wellenlänge von 1550 nm optimiert und ideal für den Einsatz in augensicheren Laser Entfernungsmesssystemen geeignet.