C30662L-200 InGaAs APD, 200 um, SMD-Gehäuse
Die C30662L-200 Avalanche-Photodioden von Excelitas sind schnelle, großflächige InGaAs-APDs mit hoher Quantenausbeute und Empfindlichkeit, die geringes Rauschen im Spektralbereich zwischen 1000 nm und 1700 nm bieten. Die C30662L-200 Photodioden sind ausgestattet mit einem aktiven Durchmesser von 200 µm in einem kompakten SMD-Gehäuse.
Die Excelitas C30662L-200 ist für den Einsatz bei einer Wellenlänge von 1550 nm optimiert und geeignet für den Einsatz in augensicheren Laserentfernungsmesssystemen.
Hauptmerkmale:
- Großflächige InGaAS APD mit 200 µm Durchmesser
- Kompaktes Keramik-SMD-Gehäuse
- Spektralempfindlichkeit 1000 nm bis 1700 nm
- Geringes Rauschen und niedriger Dunkelstrom
- Hohe Verstärkung und Quantenausbeute
- Bandbreite größer als 600 MHz
- Individuell angepasste Modifikationen möglich
Anwendungen:
- LiDAR-/ToF-Messungen
- Augensichere Laser-Entfernungsmessung
- Großvolumige Verbraucheranwendungen
- Optisches Zeitbereichsreflektometer (OTDR)
- Optische Kommunikationssysteme
- Laserscanning
Aktiver Durchmesser: 200 µm
Durchbruchspannung: 45 V – 70 V
Temperaturkoeffizient: 0,20 V/°C
Empfindlichkeit: 9,4 A/W bei 1550 nm
Dunkelstrom: 60 nA
Dunkelrauschen: 0,80 pA/√Hz
Kapazität: 2,70 pF
Bandbreite: > 600 MHz
Quantenausbeute: 75% bei 1550 nm
Verstärkungsfaktor: 20
Gehäuse: SMD
Aktiver Durchmesser: 200 µm
Durchbruchspannung: 45 V – 70 V
Temperaturkoeffizient: 0,20 V/°C
Empfindlichkeit: 9,4 A/W bei 1550 nm
Dunkelstrom: 60 nA
Dunkelrauschen: 0,80 pA/√Hz
Kapazität: 2,70 pF
Bandbreite: > 600 MHz
Quantenausbeute: 75% bei 1550 nm
Verstärkungsfaktor: 20
Gehäuse: SMD