C30645EH – InGaAs APD, 80 µm, flaches TO-18 Gehäuse
Die großflächige C30645EH ist eine InGaAs Avalanche-Photodiode mit einem aktiven Durchmesser von 80 µm in einem hermetischen TO-18 Gehäuse mit kleiner Siliziumapertur.
Die C30645EH von Excelitas ist für die Wellenlänge 1550 nm optimiert und für den Einsatz in augensicheren Laserentfernungsmessern geeignet.
Hauptmerkmale:
- Großflächige InGaAS APD mit 80 µm Durchmesser
- Hermetisches TO-18-Gehäuse; kleine Siliziumapertur
- Spektrale Empfindlichkeit: 1100 nm bis 1700 nm
- Geringes Rauschen und niedriger Dunkelstrom
- Hohe Verstärkung und Quantenausbeute
- Bandbreite größer als 1000 MHz
- Individuell angepasste Modifikationen möglich
Anwendungen:
- Laser Entfernungsmessung
- Optische Kommunikation
- Laserscannen und Bildgebung
- Spektrometrie und Reflektometrie
Aktiver Durchmesser: 80 µm
Durchbruchspannung: 40 V – 70 V
Temperaturkoeffizient: 0,14 V/°C
Empfindlichkeit: 9,3 A/W bei 1550 nm
Dunkelstrom: 3 nA
Spektraler Rauschsstrom: 0,2 pA/√Hz
Kapazität: 1,25 pF
Bandbreite: 1000 MHz
Quantenausbeute: 75% bei 1300 nm – 1550 nm
Verstärkungsfaktor: 20
Gehäuse: TO-18
Fensteröffnung: klein 0,8 mm
Fensterart: Silizium sperrt sichtbares Licht <1100 nm aus
Aktiver Durchmesser: 80 µm
Durchbruchspannung: 40 V – 70 V
Temperaturkoeffizient: 0,14 V/°C
Empfindlichkeit: 9,3 A/W bei 1550 nm
Dunkelstrom: 3 nA
Spektraler Rauschsstrom: 0,2 pA/√Hz
Kapazität: 1,25 pF
Bandbreite: 1000 MHz
Quantenausbeute: 75% bei 1300 nm – 1550 nm
Verstärkungsfaktor: 20
Gehäuse: TO-18
Fensteröffnung: klein 0,8 mm
Fensterart: Silizium sperrt sichtbares Licht <1100 nm aus