Optimierte Si-APDs für 1064 nm Applikationen
Die für 1064 nm Wellenlänge optimierten Si APDs (C30954EH, C30955EH und C30956EH) werden unter Verwendung einer doppelt diffundierten „Reach-through“-Struktur hergestellt. Diese Photodioden sind so konzipiert, dass ihre Empfindlichkeit im Bereich >900 nm verbessert wurde, ohne dass dabei unerwünschte Eigenschaften auftreten. Die Quantenausbeute erreicht bis zu 40% bei 1060 nm.
C30954EH – Si APD, 0,8 mm, TO-5 Gehäuse
Die für 1060 nm optimierte Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) C30954EH besitzt eine aktive Fläche mit einem Durchmesser von 0,8 mm und bietet eine hohe Quantenausbeute. Die Si APD wird mit einer doppelt diffundierten "Reach-through" Struktur in einem TO-5 Gehäuse gefertigt. Ihre Empfindlichkeit wurde speziell für Wellenlängen >900 nm …
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C30955EH – Si APD, 1,5 mm, TO-5 Gehäuse
Die für 1060 nm optimierte Silizium Avalanche-Photodiode (APD) C30955EH besitzt eine aktive Fläche mit 1,5 mm Durchmesser und bietet eine hohe Quantenausbeute. Die Si APD wird mit einer doppelt diffundierten "Reach-through" Struktur in einem TO-5 Gehäuse gefertigt. Ihre Empfindlichkeit wurde speziell für Wellenlängen >900 nm …
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C30956EH - Si APD, 3 mm, TO-8 Gehäuse
Die großflächige, für 1060 nm optimierte Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) C30956EH besitzt eine aktive Fläche mit einem Durchmesser von 3 mm und bietet eine hohe Quantenausbeute. Die Si APD wird mit einer doppelt diffundierten "Reach-through" Struktur in einem TO-8 Gehäuse gefertigt. Ihre Empfindlichkeit wurde speziell für Wellenlängen >900 …
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