Optimierte Si-APDs für 1064 nm Applikationen

Die für 1064 nm Wellenlänge optimierten Si APDs (C30954EH, C30955EH und C30956EH) werden unter Verwendung einer doppelt diffundierten „Reach-through“-Struktur hergestellt. Das Design dieser Photodioden ist so ausgelegt, dass ihre Empfindlichkeit im Bereich > 900 nm optimiert wurde. Die Quantenausbeute erreicht bis zu 40% bei 1060 nm.

Excelitas 1064 nm Langwellenlängen-Si-APD

Produktliste

C30954EH – Si APD, 0,8 mm, TO-5 Gehäuse
Teilenummer
C30954EH

C30954EH – Si APD, 0,8 mm, TO-5 Gehäuse

Die für 1060 nm optimierte Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) C30954EH besitzt eine aktive Fläche mit einem Durchmesser von 0,8 mm und bietet eine hohe Quantenausbeute. Die Si APD wird mit einer doppelt diffundierten "Reach-through" Struktur in einem TO-5 Gehäuse gefertigt. Ihre Empfindlichkeit wurde speziell für Wellenlängen >900 nm optimiert.
Excelitas C30955EH Silizium-APD
Teilenummer
C30955EH

C30955EH – Si APD, 1,5 mm, TO-5 Gehäuse

Die für 1060 nm optimierte Silizium Avalanche-Photodiode (APD) C30955EH besitzt eine aktive Fläche mit 1,5 mm Durchmesser und bietet eine hohe Quantenausbeute. Die Si APD wird mit einer doppelt diffundierten "Reach-through" Struktur in einem TO-5 Gehäuse gefertigt. Ihre Empfindlichkeit wurde speziell für Wellenlängen >900 nm optimiert.
Excelitas Si APD C30956EH 
Teilenummer
C30956EH

C30956EH - Si APD, 3 mm, TO-8 Gehäuse

Die großflächige, für 1060 nm optimierte Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) C30956EH besitzt eine aktive Fläche mit einem Durchmesser von 3 mm und bietet eine hohe Quantenausbeute. Die Si APD wird mit einer doppelt diffundierten "Reach-through" Struktur in einem TO-8 Gehäuse gefertigt. Ihre Empfindlichkeit wurde speziell für Wellenlängen >900 nm optimiert.