C30956EH - Si APD, 3 mm, TO-8 Gehäuse
Die großflächige, für 1060 nm optimierte Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) C30956EH besitzt eine aktive Fläche mit einem Durchmesser von 3 mm und bietet eine hohe Quantenausbeute. Die Si APD wird mit einer doppelt diffundierten "Reach-through" Struktur in einem TO-8 Gehäuse gefertigt. Ihre Empfindlichkeit wurde speziell für Wellenlängen >900 nm optimiert.
Hauptmerkmale:
- Aktiver Durchmesser 3 mm
- Hohe Quantenausbeute bei 1060 nm
- Schnelle Reaktionszeit
- Weiter Betriebstemperaturbereich
- Geringe Sperrschichtkapazität
- Hermetisches Gehäuse
- RoHS-konform
- Peltier Kühler als Option verfügbar
Anwendungen:
- Entfernungsmessung
- LiDAR
- YAG-Laser Erkennung
Aktive Fläche: 7 mm²
Aktiver Durchmesser: 3 mm
Durchbruchspannung: >325 V, 400 V, <500 V
Kapazität: 2,4 pF
Dunkelstrom: 100 nA
Verstärkungsfaktor: 75
Rauschstrom: 1,1 pA/√Hz
Gehäuse: TO-8
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 900 nm
Empfindlichkeit:
- 45 A/W bei 900 nm
- 25 A/W bei 1050 nm
- 3,5 A/W bei 1150 nm
Anstiegs-/Abfallzeit: 2 ns
Temperaturkoeffizient: 2,4 V/°C
Betriebsspannnungsbereich: 275 V – 450 V
Wellenlänge: 400 nm – 1100 nm
Aktive Fläche: 7 mm²
Aktiver Durchmesser: 3 mm
Durchbruchspannung: >325 V, 400 V, <500 V
Kapazität: 2,4 pF
Dunkelstrom: 100 nA
Verstärkungsfaktor: 75
Rauschstrom: 1,1 pA/√Hz
Gehäuse: TO-8
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 900 nm
Empfindlichkeit:
- 45 A/W bei 900 nm
- 25 A/W bei 1050 nm
- 3,5 A/W bei 1150 nm
Anstiegs-/Abfallzeit: 2 ns
Temperaturkoeffizient: 2,4 V/°C
Betriebsspannnungsbereich: 275 V – 450 V
Wellenlänge: 400 nm – 1100 nm