Excelitas C30955EH Silizium-APD
TEIL/ C30955EH

C30955EH – Si APD, 1,5 mm, TO-5 Gehäuse

Die für 1060 nm optimierte Silizium Avalanche-Photodiode (APD) C30955EH besitzt eine aktive Fläche mit 1,5 mm Durchmesser und bietet eine hohe Quantenausbeute. Die Si APD wird mit einer doppelt diffundierten "Reach-through" Struktur in einem TO-5 Gehäuse gefertigt. Ihre Empfindlichkeit wurde speziell für Wellenlängen >900 nm optimiert.

Hauptmerkmale:

  • Aktiver Durchmesser 1,5 mm
  • Hohe Quantenausbeute bei 1060 nm
  • Schnelle Reaktionszeit
  • Weiter Betriebstemperaturbereich
  • Geringe Sperrschichtkapazität
  • Hermetisches Gehäuse
  • RoHS-konform
  • Peltier Kühler als Option verfügbar

Anwendungen:

  • Entfernungsmessung
  • LiDAR
  • YAG-Laser Erkennung

 

Aktive Fläche: 1,77 mm²
Aktiver Durchmesser: 1,5 mm
Durchbruchspannung: >315 V, 390 V, <490 V
Kapazität: 3 pF
Dunkelstrom: 100 nA
Verstärkungsfaktor: 100
Rauschstrom: 1 pA/√Hz
Gehäuse: TO-5
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 900 nm
Empfindlichkeit:

  • 70 A/W bei 900 nm,
  • 34 A/W bei 1050 nm,
  • 5 A/W bei 1150 nm

Anstiegs-/Abfallzeit: 2 ns
Temperaturkoeffizient: 2,4 V/°C
Betriebsspannnungsbereich: 275 V – 450 V​​​​​​​
Wellenlänge: 400 nm – 1100 nm

Aktive Fläche: 1,77 mm²
Aktiver Durchmesser: 1,5 mm
Durchbruchspannung: >315 V, 390 V, <490 V
Kapazität: 3 pF
Dunkelstrom: 100 nA
Verstärkungsfaktor: 100
Rauschstrom: 1 pA/√Hz
Gehäuse: TO-5
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 900 nm
Empfindlichkeit:

  • 70 A/W bei 900 nm,
  • 34 A/W bei 1050 nm,
  • 5 A/W bei 1150 nm

Anstiegs-/Abfallzeit: 2 ns
Temperaturkoeffizient: 2,4 V/°C
Betriebsspannnungsbereich: 275 V – 450 V​​​​​​​
Wellenlänge: 400 nm – 1100 nm

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