TEIL/ C30954EH
C30954EH – Si APD, 0,8 mm, TO-5 Gehäuse
Die für 1060 nm optimierte Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) C30954EH besitzt eine aktive Fläche mit einem Durchmesser von 0,8 mm und bietet eine hohe Quantenausbeute. Die Si APD wird mit einer doppelt diffundierten "Reach-through" Struktur in einem TO-5 Gehäuse gefertigt. Ihre Empfindlichkeit wurde speziell für Wellenlängen >900 nm optimiert.
Hauptmerkmale:
- Aktiver Durchmesser 0,8 mm
- Hohe Quantenausbeute bei 1060 nm
- Schnelle Reaktionszeit
- Weiter Betriebstemperaturbereich
- Geringe Sperrschichtkapazität
- Hermetisches Gehäuse
- RoHS-konform
- Peltier Kühler als Option verfügbar
Anwendungen:
- Entfernungsmessung
- LiDAR
- YAG-Laser Erkennung
- 75 A/W bei 900 nm,
- 36 A/W bei 1050 nm,
- 5 A/W bei 1150 nm
- 75 A/W bei 900 nm,
- 36 A/W bei 1050 nm,
- 5 A/W bei 1150 nm