TEIL/ C30659-UV-1
C30659-UV-1 – Si APD Empfänger, 1x1 mm, 50 MHz, TO-8 Gehäuse, UV optimiert
Das Modell C30659-UV-1 verfügt über eine UV optimierte Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetisch abgedichtete TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb.
Die UV optimierten Si-APDs bieten eine hohe Empfindlichkeit im Bereich von 400 nm bis 950 nm sowie äußerst schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten über den gesamten Wellenlängenbereich. Der Vorverstärker des Moduls verfügt über einen äußerst rauscharmen GaAs FET, der auf einen Betrieb bei höheren Transimpedanzen als unsere C30950 Standardserien ausgelegt ist.
- Systembandbreite: 50 MHz
- Extrem niedrige Rauschäquivalentleistung (NEP)
10 fW/√Hz bei 500 nm - Spektrale Empfindlichkeit: 400 nm bis 950 nm
- Typische Leistungsaufnahme: 150 mW
- ±5 V Betriebsspannung
- 50 Ω AC Abschlusswiderstand (AC: Gekoppelt)
- Hermetisch abgedichtetes TO-8 package
- Hohe Zuverlässigkeit
- Systembandbreite: 50 MHz
- Extrem niedrige Rauschäquivalentleistung (NEP)
10 fW/√Hz bei 500 nm - Spektrale Empfindlichkeit: 400 nm bis 950 nm
- Typische Leistungsaufnahme: 150 mW
- ±5 V Betriebsspannung
- 50 Ω AC Abschlusswiderstand (AC: Gekoppelt)
- Hermetisch abgedichtetes TO-8 package
- Hohe Zuverlässigkeit