C30659-UV-1 Si-APD-Empfänger von Excelitas
TEIL/ C30659-UV-1

C30659-UV-1 – Si APD Empfänger, 1x1 mm, 50 MHz, TO-8 Gehäuse, UV optimiert

Das Modell C30659-UV-1 verfügt über eine UV optimierte Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetisch abgedichtete TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb.

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Die UV optimierten Si-APDs bieten eine hohe Empfindlichkeit im Bereich von 400 nm bis 950 nm sowie äußerst schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten über den gesamten Wellenlängenbereich. Der Vorverstärker des Moduls verfügt über einen äußerst rauscharmen GaAs FET, der auf einen Betrieb bei höheren Transimpedanzen als unsere C30950 Standardserien ausgelegt ist.

  • Systembandbreite: 50 MHz
  • Extrem niedrige Rauschäquivalentleistung (NEP)
    • 10 fW/√Hz bei 500 nm
  • Spektrale Empfindlichkeit: 400 nm bis 950 nm
  • Typische Leistungsaufnahme: 150 mW
  • ±5 V Betriebsspannung
  • 50 Ω AC Abschlusswiderstand (AC gekoppelt)
  • Hermetisch abgedichtetes TO-8 Gehäuse
  • Hohe Zuverlässigkeit

 

  • Systembandbreite: 50 MHz
  • Extrem niedrige Rauschäquivalentleistung (NEP)
    • 10 fW/√Hz bei 500 nm
  • Spektrale Empfindlichkeit: 400 nm bis 950 nm
  • Typische Leistungsaufnahme: 150 mW
  • ±5 V Betriebsspannung
  • 50 Ω AC Abschlusswiderstand (AC gekoppelt)
  • Hermetisch abgedichtetes TO-8 Gehäuse
  • Hohe Zuverlässigkeit

 

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