LLAM-1060E-R8BH – Silizium-APD-Empfänger von Excelitas
TEIL/ LLAM-1060E-R8BH

LLAM-1060E-R8BH – Si APD-Empfänger, 0,8 mm, TO-66 Gehäuse, 200 MHz, Peltier Kühlelement, hohe Zerstörschwelle

Das LLAM-1060E-R8BH ist ein schnelles, hochempfindliches, analoges Avalanche-Photodioden (APD) Empängermodul mit einer 1060 nm Silizium (Si) APD. Diese Si APD enthält einen Peltierkühler und bietet einen aktiven Durchmesser von 0,8 mm sowie eine Bandbreite von 200 MHz.

Die APD-Module der LLAM-Serie beinhalten einen Avalanche-Photodiodenchip, einen Peltierkühler und einen Vorverstärker in einem hermetischen Gehäuse. Das RoHS-konforme Modul wird in einem modifizierten TO-66 Gehäuse mit 12 Kontakten geliefert, ist einfach zu installieren und kann aktiv gekühlt werden. Der Peltierkühler erlaubt einen rauscharmen Betrieb bei niedriger, konstanter Temperatur und konstanter Sensitivität über einen Umgebungstemperaturbereich von 5 °C bis 40 °C. Die Module der LLAM-Serie sind für die Erkennung hochfrequenter analoger Signale geringster Lichtstärken konzipiert.

Die LLAM-1060E und LLAM-1550E Vorverstärkermodule von Excelitas sind mit einer Detektorschutzschaltung ausgestattet und bieten somit eine größere Beständigkeit gegenüber hohen optischen Leistungen.

Das LLAM-1060-R8BH verwendet eine C30954EH APD von Excelitas.

Anwendungen:

  • Laserbasierte Entfernungsmessung
  • Zielerkennung
  • Faseroptische Temperaturmessung (DTS)
  • Konfokale Mikroskopie
  • Analytische Messsysteme
  • Schnelle, optische Kommunikation

 

Aktive Fläche: 0,5 mm²
Aktiver Durchmesser: 0,8 mm
Bandbreite: 200 MHz
NEP:

  • 30 bis 90 fW/√Hz bei 830 nm
  • 25 bis 80 fW/√Hz bei 900 nm
  • 50 bis 150 fW/√Hz bei 1064 nm

Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 1064 nm
Empfindlichkeit:

  • 325 kV/W bei 830 nm
  • 370 kV/W bei 900 nm
  • 200 kV/W bei 1064 nm

Anstiegs-/Abfallzeit: 2 ns
Temperaturkoeffizient: 2,2 V/°C

Aktive Fläche: 0,5 mm²
Aktiver Durchmesser: 0,8 mm
Bandbreite: 200 MHz
NEP:

  • 30 bis 90 fW/√Hz bei 830 nm
  • 25 bis 80 fW/√Hz bei 900 nm
  • 50 bis 150 fW/√Hz bei 1064 nm

Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 1064 nm
Empfindlichkeit:

  • 325 kV/W bei 830 nm
  • 370 kV/W bei 900 nm
  • 200 kV/W bei 1064 nm

Anstiegs-/Abfallzeit: 2 ns
Temperaturkoeffizient: 2,2 V/°C

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