C30683 – APD-Vorverstärkermodule mit Hochgeschwindigkeits-TIA, TO-8
TEIL/ C30683-900-R5DH, C30683-1550-R08DH, C30683-1550-R2BH

C30683 – APD-Vorverstärkermodule mit Hochgeschwindigkeits-TIA, TO-8

Die C30683-Serie kombiniert die Avalanche-Photodioden (APD) von Excelitas mit einem Hochgeschwindigkeits-Transimpedanzverstärker (TIA) in einem hermetisch versiegelten TO-8-Gehäuse für die Detektion bei extrem schwachem Licht. Die Module bieten eine Bandbreite von bis zu 450 MHz und eignen sich daher ideal für anspruchsvolle Anwendungen.​​​​​​​

Die leistungsstarken APD-Vorverstärkermodule der C30683-Serie von Excelitas bieten eine hohe Bandbreite, geringes Rauschen und eine hohe Empfindlichkeit für die präzise Detektion bei schwachem Licht. Aufgrund dieser Eigenschaften ist die Serie besonders für anspruchsvolle Anwendungen wie LiDAR geeignet, bei denen größere Reichweiten und höhere Auflösungen unerlässlich sind.

Dieses Produkt verfügt über einen integrierten Thermistor, der die APD-Temperatur überwacht und die Hochspannungsversorgung kompensiert. Dadurch wird die Verstärkung der APD konstant gehalten.

Die C30683 APD-Vorverstärkermodule sind sowohl mit Silizium- als auch mit InGaAs-APDs erhältlich.

ParameterC30683-900-R5DHC30683-1550-R08DHC30683-1550-R2BH
APDSilizium, C30737, 500 µmInGaAs, C30645, 80 µmInGaAs, C30662, 200 µm
Empfindlichkeit550 kV/W bei 900 nm120 kV/W bei 1550 nm120 kV/W bei 1550 nm
NEP bei Empfindlichkeit​​​​​​​37 fW/√Hz250 fW/√Hz250 fW/√Hz
Systembandbreite420 MHz450 MHz300 MHz

  • Silizium oder InGaAs APD

  • APD integriert in die erste Verstärkerstufe in einem hermetisch versiegelten TO-8-Gehäuse

  • 50 Ω AC Abschlusswiderstand (AC gekoppelt)

  • +3,3 V Betriebsspannung des Verstärkers

  • Differenzausgang

  • Detektion bei extrem schwachem Licht​​​​​​​

  • Optische Freistrahl-Kommunikation

  • Analytische Messsysteme

  • LiDAR und Entfernungsmessung

  • Faseroptische Temperaturmessung (DTS)

  • Konfokale Mikroskopie

ParameterC30683-900-R5DHC30683-1550-R08DHC30683-1550-R2BH
APDSilizium, C30737, 500 µmInGaAs, C30645, 80 µmInGaAs, C30662, 200 µm
Empfindlichkeit550 kV/W bei 900 nm120 kV/W bei 1550 nm120 kV/W bei 1550 nm
NEP bei Empfindlichkeit​​​​​​​37 fW/√Hz250 fW/√Hz250 fW/√Hz
Systembandbreite420 MHz450 MHz300 MHz

  • Silizium oder InGaAs APD

  • APD integriert in die erste Verstärkerstufe in einem hermetisch versiegelten TO-8-Gehäuse

  • 50 Ω AC Abschlusswiderstand (AC gekoppelt)

  • +3,3 V Betriebsspannung des Verstärkers

  • Differenzausgang

  • Detektion bei extrem schwachem Licht​​​​​​​

  • Optische Freistrahl-Kommunikation

  • Analytische Messsysteme

  • LiDAR und Entfernungsmessung

  • Faseroptische Temperaturmessung (DTS)

  • Konfokale Mikroskopie

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