Produkte der C30659 Serie verfügen über eine Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) oder eine InGaAs Avalanche-Photodiode (InGaAs-APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetische TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb. Unser Modell C30659-1550-R2AH beinhaltet eine für 1550 nm optimierte C30662EH-InGaAs-APD von Excelitas.
Die C30659 Serie zeichnet sich durch ein Design mit invertierendem Verstärker aus, welches als Ausgansstufe eine Emitterfolgerschaltung verwendet.
Die für diese Modelle verwendeten Si-APD Chips sind auch in den Excelitas Produkten C30817EH, C30902EH, C30954EH und C30956EH zu finden, die InGaAs-APD Chips werden ebenfalls in den Produkten C30645EH und C30662EH verwendet. Unsere Detektoren bieten eine hohe Empfindlichkeit zwischen 830 nm und 1550 nm sowie äußerst schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten über den gesamten Wellenlängenbereich. Der Vorverstärkerbereich des Moduls verfügt über eine äußerst rauscharme GaAs-FET-Frontpartie, die auf einen höheren Transimpedanz-Betrieb als die regulären C30950-Serien von Excelitas ausgelegt ist.
