TEIL/ C30659-1550E-R2AH
C30659-1550E-R2AH –
InGaAs APD-Empfänger, 200 µm, TO-8 Gehäuse, 50 MHz, hohe Zerstörschwelle
Produkte der C30659 Serie verfügen über eine Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) oder eine InGaAs Avalanche-Photodiode (InGaAs-APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetische TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb. Unser Modell C30659-1550-R2AH beinhaltet eine für 1550 nm optimierte C30662EH-InGaAs-APD von Excelitas.
Die C30659 Serie zeichnet sich durch ein Design mit invertierendem Verstärker aus, welches als Ausgansstufe eine Emitterfolgerschaltung verwendet.
Die für diese Modelle verwendeten Si-APD Chips sind auch in den Excelitas Produkten C30817EH, C30902EH, C30954EH und C30956EH zu finden, die InGaAs-APD Chips werden ebenfalls in den Produkten C30645EH und C30662EH verwendet. Unsere Detektoren bieten eine hohe Empfindlichkeit zwischen 830 nm und 1550 nm sowie äußerst schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten über den gesamten Wellenlängenbereich. Der Vorverstärkerbereich des Moduls verfügt über eine äußerst rauscharme GaAs-FET-Frontpartie, die auf einen höheren Transimpedanz-Betrieb als die regulären C30950-Serien von Excelitas ausgelegt ist.
- Systembandbreite: 50 MHz
- Extrem niedrige Rauschäquivalentleistung (NEP)
- 150 fW/√Hz bei 1300 nm
- 130 fW/√Hz bei 1550 nm
- Spektrale Empfindlichkeit: Maximum bei 1550 nm
- Typische Leistungsaufnahme: 150 mW
- ±5 V Betriebsspannung
- 50 Ω AC Abschlusswiderstand (AC gekoppelt)
- Hermetisch abgedichtetes TO-8 Gehäuse
- Hohe Zuverlässigkeit
- Systembandbreite: 50 MHz
- Extrem niedrige Rauschäquivalentleistung (NEP)
- 150 fW/√Hz bei 1300 nm
- 130 fW/√Hz bei 1550 nm
- Spektrale Empfindlichkeit: Maximum bei 1550 nm
- Typische Leistungsaufnahme: 150 mW
- ±5 V Betriebsspannung
- 50 Ω AC Abschlusswiderstand (AC gekoppelt)
- Hermetisch abgedichtetes TO-8 Gehäuse
- Hohe Zuverlässigkeit