C30659-900-R8AH – Si-APD Empfänger, 0,8 mm, TO-8 Gehäuse, 50 MHz
Optische APD-Empfänger der C30659 Serie verfügen über eine Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) oder eine InGaAs Avalanche-Photodiode (InGaAs APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetische TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb. Unser Modell C30659-900-R8AH beinhaltet die C30817EH Si-APD mit maximaler Empfindlichkeit bei 900 nm und aktivem Durchmesser von 0,8 mm.
Die Si-APD-Empfänger der C30659 Serie von Excelitas zeichnen sich durch ein Design mit invertierendem Verstärker aus, welches als Ausgansstufe eine Emitterfolgerschaltung verwendet.
Die für diese Modelle verwendeten Si-APD Chips sind auch in den Excelitas Produkten C30817EH, C30902EH, C30954EH und C30956EH zu finden, die InGaAs-APD Chips werden ebenfalls in den Produkten C30645EH und C30662EH verwendet. Unsere Detektoren bieten eine hohe Empfindlichkeit zwischen 830 nm und 1550 nm sowie äußerst schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten über den gesamten Wellenlängenbereich. Der Vorverstärker des Moduls verfügt über einen äußerst rauscharmen GaAs FET, der auf einen Betrieb bei höheren Transimpedanzen als unsere C30950 Standardserien ausgelegt ist.
