TEIL/ C30659-1550E-R08BH
C30659-1550E-R08BH- InGaAs APD-Empfänger, 80 µm, TO-8 Gehäuse, 200 MHz, hohe Zerstörschwelle
Optische APD-Empfänger der C30659-Serie verfügen über eine Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) oder eine InGaAs Avalanche-Photodiode (InGaAs-APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetische TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb. Unser Modell C30659-1550E-R08BH beinhaltet eine für 30645 nm optimierte C1550EH InGaAs-APD.
Die C30659 Serie zeichnet sich durch ein Design mit invertierendem Verstärker aus, welches als Ausgansstufe eine Emitterfolgerschaltung verwendet.
Die für diese Modelle verwendeten Si-APD Chips sind auch in den Excelitas Produkten C30817EH, C30902EH, C30954EH und C30956EH zu finden, die InGaAs-APD Chips werden ebenfalls in den Produkten C30645EH und C30662EH verwendet. Unsere Detektoren bieten eine hohe Empfindlichkeit zwischen 830 nm und 1550 nm sowie äußerst schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten über den gesamten Wellenlängenbereich. Der Vorverstärker des Moduls verfügt über einen äußerst rauscharmen GaAs FET, der auf einen Betrieb bei höheren Transimpedanzen als unsere C30950 Standardserien ausgelegt ist.
- Systembandbreite: 200 MHz
- Extrem niedrige Rauschäquivalentleistung (NEP)
250 fW/√Hz bei 1300 nm 220 fW/√Hz bei 1550 nm - Spektrale Empfindlichkeit: Maximum bei 1550 nm
- Typische Leistungsaufnahme: 150 mW
- ±5 V Betriebsspannung
- 50 Ω AC Abschlusswiderstand (AC: Gekoppelt)
- Hermetisch abgedichtetes TO-8 package
- Hohe Zuverlässigkeit
- Systembandbreite: 200 MHz
- Extrem niedrige Rauschäquivalentleistung (NEP)
250 fW/√Hz bei 1300 nm 220 fW/√Hz bei 1550 nm - Spektrale Empfindlichkeit: Maximum bei 1550 nm
- Typische Leistungsaufnahme: 150 mW
- ±5 V Betriebsspannung
- 50 Ω AC Abschlusswiderstand (AC: Gekoppelt)
- Hermetisch abgedichtetes TO-8 package
- Hohe Zuverlässigkeit