C30659-900-R5BH – Si-APD Empfänger, 0,5 mm, TO-8 Gehäuse, 200 MHz
Produkte der C30659 Serie verfügen über eine Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) oder eine InGaAs Avalanche-Photodiode (InGaAs-APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetische TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb. Die C30659-900-R5BH beinhaltet die C30902EH Si-APD mit maximaler Empfindlichkeit bei 900 nm und aktivem Durchmesser von 0,5 mm.
Die C30659 Serie von Excelitas zeichnet sich durch ein Design mit invertierendem Verstärker aus, welches als Ausgangsstufe eine Emitterfolgerschaltung verwendet.
Die für diese Modelle verwendeten Si-APD Chips sind auch in den Excelitas Produkten C30817EH, C30902EH, C30954EH und C30956EH zu finden, die InGaAs-APD Chips werden ebenfalls in den Produkten C30645EH und C30662EH verwendet. Unsere Detektoren bieten eine hohe Empfindlichkeit zwischen 830 nm und 1550 nm sowie äußerst schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten über den gesamten Wellenlängenbereich. Der Vorverstärker des Moduls verfügt über einen äußerst rauscharmen GaAs FET, der auf einen Betrieb bei höheren Transimpedanzen als unsere C30950 Standardserien ausgelegt ist.
