TEIL/ VTP4085SH
VTP4085SH – Si-PD, Keramik, 21 mm2, niedriger Dunkelstrom
Die VTP4085SH ist eine Silizium-Photodiode auf Keramiksubstrat, das mit Epoxid beschichtet ist, und bietet ein schnelles Ansprechverhalten bei niedrigem Dunkelstrom.
Diese schnell ansprechende Silizium-Photodiode bietet eine 21 mm2 große aktive Fläche und Spektralempfindlichkeit zwischen 400 nm und 1100 nm. Unsere Photodiodenserien sind für niedrige Sperrschichtkapazitäten ausgelegt, um eine schnellere Ansprechzeit zu erreichen. Sie eignen sich für den Betrieb unter Sperrvorspannung, was die Ansprechgeschwindigkeit weiter erhöht, können aber auch im Photovoltaik-Modus eingesetzt werden. Diese Sensoren haben eine ausgezeichnete Empfindlichkeit im nahen IR-Bereich und sind gut auf die IR-LEDs der VTE-Baureihe abgestimmt.
Hauptmerkmale:
- Sichtbarer bis IR-Spektralbereich
- Wellenlänge höchster Empfindlichkeit: 925 nm
- Große aktive Fläche mit 1 bis 2% Linearität über 7 bis 9 Dimensionen (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstärke)
- Niedriger Dunkelstrom
- Hoher Shuntwiderstand
- Geringe Sperrschichtkapazität
- Schnelle Ansprechzeit
- RoHS-konform
Anwendungen:
- Rauchmelder
- Barcode-Scanner
- Lichtmessung
- Puls-Oximeter
- Aktive Fläche: 21 mm2
- Kurzschlußstrom: min. 200 µA bei 100 fc, 2850 K
- Kurzschlussstrom: min. 11,4 µA bei 100 µW/cm2, 940 nm
- Dunkelstrom: max. 50 nA bei 100 mV Sperrvorspannung
- Sperrschichtkapazität: typ. 0,35 nF bei 0 V Vorspannung
- Spektralbereich: 400 nm bis 1100 nm
- Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 925 nm
- Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,55 A/W
- Aktive Fläche: 21 mm2
- Kurzschlußstrom: min. 200 µA bei 100 fc, 2850 K
- Kurzschlussstrom: min. 11,4 µA bei 100 µW/cm2, 940 nm
- Dunkelstrom: max. 50 nA bei 100 mV Sperrvorspannung
- Sperrschichtkapazität: typ. 0,35 nF bei 0 V Vorspannung
- Spektralbereich: 400 nm bis 1100 nm
- Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 925 nm
- Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,55 A/W