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Si-Photodioden mit schneller Ansprechzeit

Unsere Silizium-Photodioden der VTP-Baureihe bieten eine niedrige Sperrschichtkapazität schnelle Reaktionszeiten. Sie können unter Sperrvorspannung betrieben werden, um die Kapazität zu verringern und die Ansprechgeschwindigkeit weiter zu erhöhen, oder im Photovoltaik-Modus in Anwendungen, bei denen die Ansprechgeschwindigkeit unkritisch ist. Mit ihrem ausgezeichneten Ansprechverhalten im IR-Spektralbereich sind diese Sensoren gut auf die Infrarot-LED-VTE-Serie von Excelitas abgestimmt.

VTP-Photodioden von Excelitas – allgemeine Eigenschaften
Anwendungshinweis zu schnell ansprechenden Silizium-Photodioden von Excelitas
Si-Photodioden mit schneller Ansprechzeit

Produktliste

Teilenummer
VTP1012H

VTP1012H – Si-PD, TO-46, 1,6 mm2

Die VTP1012H ist eine Silizium-Photodiode in einem hermetischen TO-46-Gehäuse mit flachem Eintrittsfenster. Mit einer hohen Empfindlichkeit im sichtbaren und nahen IR-Spektralbereich weist diese Photodiode einen sehr hohen Shuntwiderstand, niedrigen Dunkelstrom und eine niedrige Sperrschichtkapazität auf.
Teilenummer
VTP1112H

VTP1112H – Si-PD, TO-46 Linsengehäuse, 1,6 mm2

Die VTP1112H ist eine Silizium-Photodiode mit erhöhter Empfindlichkeit im sichtbaren und Nah-IR-Spektralbereich in einem hermetischen TO-46-Linsengehäuse. Diese Photodiode weist einen sehr hohen Shuntwiderstand, einen niedrigen Dunkelstrom, niedrige Sperrschichtkapazität und ein schmalen Erfassungsbereich auf.
Teilenummer
VTP1188SH

VTP1188SH – Si PD, Keramikträger mit Kunststofflinse, 11 mm2

Die VTP1188SH ist eine großflächige Silizium-Photodiode auf einem Keramikträger mit einem Kunstoffgehäuse in Linsenform. Diese Photodiode bietet eine hohe Empfindlichkeit im sichtbaren und im nahen IR-Bereich, bei hohem Shuntwiderstand, niedrigem Dunkelstrom und geringer Sperrschichtkapazität.
Teilenummer
VTP1232FH

VTP1232FH – Si-PD, T1 3/4, 2,326 mm2

Das Modell VTP1232FH ist eine Silizium-Photodiode in einem flachen und transparenten T1¾-Gehäuse. Diese Photodiode bietet eine hohe Empfindlichkeit im sichtbaren und im nahen IR-Bereich, bei hohem Shuntwiderstand, niedrigem Dunkelstrom und geringer Sperrschichtkapazität.
Teilenummer
VTP1232H

VTP1232H – Si-PD, T1 3/4 mit integrierter Optik, 2,326 mm2

Das Modell VTP1232H ist eine Silizium-Photodiode in einem transparenten T1¾-Gehäuse mit integrierter Linse. Die Silizium-Photodiode VTP1232H bietet eine hohe Empfindlichkeit im sichtbaren und im nahen IR-Bereich bei hohem Shuntwiderstand, niedrigem Dunkelstrom und geringer Sperrschichtkapazität.
Teilenummer
VTP1332FH

VTP1332FH – Si-PD, T1 3/4, IR-durchlässig, 2,326 mm2

Das Modell VTP1332FH ist eine Silizium-Photodiode in einem flachen T1¾-Gehäuse mit Blockung des sichtbaren Spektralbereichs. Diese Photodiode weist einen sehr hohen Shuntwiderstand, einen niedrigen Dunkelstrom sowie eine niedrige Sperrschichtkapazität auf.
Teilenummer
VTP1332H

VTP1332H – Si-PD, T1 3/4 mit integrierter Linse, IR-durchlässig, 2,326 mm2

Das Modell VTP1332H ist eine Silizium-Photodiode in einem T1¾-Linsengehäuse mit integrierter Linse und Blockung des sichtbaren Spektralbereichs. Diese Photodiode weist einen sehr hohen Shuntwiderstand, einen niedrigen Dunkelstrom sowie eine niedrige Sperrschichtkapazität auf.
Teilenummer
VTP3310LAH

VTP3310LAH – Si-PD, T1 Gehäuse mit integrierter Linse, 0,684 mm2

Die VTP3310LAH ist eine Silizium-Photodiode in einem langen transparenten T1-Linsengehäuse mit integrierter Optik. Diese Photodiode bietet ein hohe Empfindlichkeit im sichtbaren und nahen IR-Spektralbereich und weist einen sehr hohen Shuntwiderstand, einen niedrigen Dunkelstrom und eine niedrige Sperrschichtkapazität auf.
Teilenummer
VTP3410LAH

VTP3410LAH – Si-PD, T1 Kunststoffgehäuse mit integrierter Linse, IR-durchlässig, 0,684 mm2

Die VTP3410LAH ist eine Silizium-Photodiode mit optischer Blockung für sichtbares Licht, langem T1-Gehäuse mit Linse und erhöhter Empfindlichkeit im nahen IR-Spektralbereich. Diese Photodiode weist einen sehr hohen Shuntwiderstand, einen niedrigen Dunkelstrom sowie eine niedrige Sperrschichtkapazität auf.
Teilenummer
VTP4085H

VTP4085H – Si-PD, Keramik, 21 mm2

Die VTP4085H ist eine Silizium-Photodiode auf einem Keramiksubstrat, das mit Epoxid beschichtet ist und eine schnelle Reaktion bei niedrigem Dunkelstrom bietet.
Teilenummer
VTP4085SH

VTP4085SH – Si-PD, Keramik, 21 mm2, niedriger Dunkelstrom

Die VTP4085SH ist eine Silizium-Photodiode auf Keramiksubstrat, das mit Epoxid beschichtet ist, und bietet ein schnelles Ansprechverhalten bei niedrigem Dunkelstrom.
Teilenummer
VTP5050H

VTP5050H – Si-PD, TO-5, 7,45 mm2

Die VTP5050H ist eine Silizium-Photodiode in einem hermetischen TO-5-Gehäuse und bietet eine schnelle Reaktion bei niedrigem Dunkelstrom.
Teilenummer
VTP6060H

VTP6060H – Si-PD, TO-8, 20,6 mm2

Die VTP6060H ist eine großflächige Silizium-Photodiode in einem hermetischen TO-8-Gehäuse mit flachem Fenster. Diese Photodiode bietet einen weiten Erfassungsbereich bei schneller Reaktionszeit und niedrigem Dunkelstrom.
Teilenummer
VTP7110H

VTP7110H – Si-PD, Bauform "side-looker" mit integrierter Optik, 0,684 mm2

Die VTP7110H ist eine Silizium-Photodiode in einem transparenten Gehäuse für seitlichen Lichteinfall mit schnellem Ansprechverhalten, niedrigem Dunkelstrom und weitem Erfassungsbereich.
Teilenummer
VTP8350H

VTP8350H – Si-PD, Keramik, 7,45 mm2

Die VTP8350H ist eine Silizium-Photodiode auf einem mit Epoxid beschichteten Keramiksubstrat. Diese Photodiode bietet einen weiten Erfassungsbereich bei schneller Reaktionszeit und niedrigem Dunkelstrom.
Teilenummer
VTP8440H

VTP8440H – Si-PD, Keramik, 5,16 mm2

Die VTP8440H ist eine Silizium-Photodiode auf einem Keramiksubstrat mit 8 mm Durchmesser, das mit transparentem Kunststoff beschichtet ist. Diese Photodiode bietet einen weiten Erfassungsbereich bei schneller Reaktionszeit und einem niedrigen Dunkelstrom.
Teilenummer
VTP8740STRH

VTP8740STRH – Si-PD, SMT-Seitenmontage, 5,269 mm2

Die VTP8740STRH ist eine Silizium-Photodiode in einem transparenten oberflächenmontierbaren Kunststoffgehäuse mit einer integrierten Linse. Diese Photodiode bietet einen weiten Erfassungsbereich bei schneller Reaktionszeit und niedrigem Dunkelstrom.