Si-Photodioden mit schneller Ansprechzeit
Unsere Silizium-Photodioden der VTP-Baureihe bieten eine niedrige Sperrschichtkapazität schnelle Reaktionszeiten. Sie können unter Sperrvorspannung betrieben werden, um die Kapazität zu verringern und die Ansprechgeschwindigkeit weiter zu erhöhen, oder im Photovoltaik-Modus in Anwendungen, bei denen die Ansprechgeschwindigkeit unkritisch ist. Mit ihrem ausgezeichneten Ansprechverhalten im IR-Spektralbereich sind diese Sensoren gut auf die Infrarot-LED-VTE-Serie von Excelitas abgestimmt.
Teilenummer
VTP1232FH
VTP1232FH – Si-PD, T1 3/4, 2,326 mm2
Das Modell VTP1232FH ist eine Silizium-Photodiode in einem flachen und transparenten T1¾-Gehäuse. Diese Photodiode bietet eine hohe Empfindlichkeit im sichtbaren und im nahen IR-Bereich, bei hohem Shuntwiderstand, niedrigem Dunkelstrom und geringer Sperrschichtkapazität.
Teilenummer
VTP1232H
VTP1232H – Si-PD, T1 3/4 mit integrierter Optik, 2,326 mm2
Das Modell VTP1232H ist eine Silizium-Photodiode in einem transparenten T1¾-Gehäuse mit integrierter Linse. Die Silizium-Photodiode VTP1232H bietet eine hohe Empfindlichkeit im sichtbaren und im nahen IR-Bereich bei hohem Shuntwiderstand, niedrigem Dunkelstrom und geringer Sperrschichtkapazität.
Teilenummer
VTP3310LAH
VTP3310LAH – Si-PD, T1 Gehäuse mit integrierter Linse, 0,684 mm2
Die VTP3310LAH ist eine Silizium-Photodiode in einem langen transparenten T1-Linsengehäuse mit integrierter Optik. Diese Photodiode bietet ein hohe Empfindlichkeit im sichtbaren und nahen IR-Spektralbereich und weist einen sehr hohen Shuntwiderstand, einen niedrigen Dunkelstrom und eine niedrige Sperrschichtkapazität auf.
Teilenummer
VTP4085H
VTP4085H – Si-PD, Keramik, 21 mm2
Die VTP4085H ist eine Silizium-Photodiode auf einem Keramiksubstrat, das mit Epoxid beschichtet ist und eine schnelle Reaktion bei niedrigem Dunkelstrom bietet.
Teilenummer
VTP8440H
VTP8440H – Si-PD, Keramik, 5,16 mm2
Die VTP8440H ist eine Silizium-Photodiode auf einem Keramiksubstrat mit 8 mm Durchmesser, das mit transparentem Kunststoff beschichtet ist. Diese Photodiode bietet einen weiten Erfassungsbereich bei schneller Reaktionszeit und einem niedrigen Dunkelstrom.