VTP4085H – Si-PD, Keramik, 21 mm2
Die VTP4085H ist eine Silizium-Photodiode auf einem Keramiksubstrat, das mit Epoxid beschichtet ist und eine schnelle Reaktion bei niedrigem Dunkelstrom bietet.
Diese schnell ansprechende Silizium-Photodiode bietet 21 mm2 aktive Fläche und eine Spektralempfindlichkeit zwischen 400 nm und 1100 nm. Unsere Photodiodenserien sind für niedrige Sperrschichtkapazitäten ausgelegt, um eine schnellere Ansprechzeit zu erreichen. Sie eignen sich für den Betrieb unter Sperrvorspannung, was die Ansprechgeschwindigkeit weiter erhöht, können aber auch im Photovoltaik-Modus eingesetzt werden. Diese Sensoren haben eine ausgezeichnete Empfindlichkeit im nahen IR-Bereich und sind gut auf die IR-LEDs der VTE-Baureihe abgestimmt.
Hauptmerkmale:
- Sichtbarer bis IR-Spektralbereich
- Wellenlänge höchster Empfindlichkeit: 925 nm
- Große aktive Fläche mit 1 bis 2% Linearität über 7 bis 9 Dimensionen (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstärke)
- Niedriger Dunkelstrom
- Hoher Shuntwiderstand
- Geringe Sperrschichtkapazität
- Schnelle Ansprechzeit
- RoHS-konform
Anwendungen:
- Rauchmelder
- Barcode-Scanner
- Lichtmessung
- Puls-Oximeter
Aktive Fläche: 21 mm2
Kurzschlußstrom: min. 200 µA bei 100 fc, 2850 K
Kurzschlussstrom: min. 11,4 µA bei 100 µW/cm2, 940 nm
Dunkelstrom: max. 100 nA bei 100 mV Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: typ. 0,35 nF bei 0 V Vorspannung
Spektralbereich: 400 nm bis 1100 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 925 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,55 A/W
Aktive Fläche: 21 mm2
Kurzschlußstrom: min. 200 µA bei 100 fc, 2850 K
Kurzschlussstrom: min. 11,4 µA bei 100 µW/cm2, 940 nm
Dunkelstrom: max. 100 nA bei 100 mV Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: typ. 0,35 nF bei 0 V Vorspannung
Spektralbereich: 400 nm bis 1100 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 925 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,55 A/W