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TEIL/ VTP1188SH

VTP1188SH – Si PD, Keramikträger mit Kunststofflinse, 11 mm2

Die VTP1188SH ist eine großflächige Silizium-Photodiode auf einem Keramikträger mit einem Kunstoffgehäuse in Linsenform. Diese Photodiode bietet eine hohe Empfindlichkeit im sichtbaren und im nahen IR-Bereich, bei hohem Shuntwiderstand, niedrigem Dunkelstrom und geringer Sperrschichtkapazität.

Diese Silizium-Photodiode mit niedriger Ansprechzeit bietet eine aktive Fläche von 11 mm2 und ist auf einen Spektralbereich zwischen 400 nm und 1100 nm ausgelegt.

Unsere Reihe von Silizium-Photodioden mit niedriger Ansprechzeit wurde entwickelt, um bei einer geringen Sperrschichtkapazität schnellere Ansprechzeiten zu ermöglichen. Die Dioden können unter Sperrvorspannung betrieben werden, um die Ansprechzeit noch weiter zu beschleunigen. Sie können auch im Photovoltaik-Modus betrieben werden, wenn die Ansprechzeit keine wesentliche Rolle spielt.

Diese Detektoren weisen auch im IR-Spektralbereich eine hervorragende Empfindlichkeit auf und sind mit der Infrared LED-Baureihe vom Typ VTE kombinierbar.

Hauptmerkmale:

  • Sichtbarer Bereich bis naher IR-Bereich
  • 1 bis 2% Linearität über 7 bis 9 Dimensionen (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstärke)
  • Niedriger Dunkelstrom
  • Hoher Shuntwiderstand
  • Geringe Sperrschichtkapazität
  • Schnelle Ansprechzeit
  • Hohe Sperrspannung
  • RoHS-konform

Anwendungen:

  • Rauchmelder
  • Barcode-Scanner
  • Lichtmessung
  • Puls-Oximeter

Aktive Fläche: 11 mm2

Kurzschlußstrom: typ. 200 µA bei 100 fc, 2850 K

Kurzschlußstrom: min 13 µA bei 100 µW/cm2, 880 nm

Dunkelstrom: max. 30 nA bei 10 mV Sperrvorspannung

Sperrschichtkapazität: max. 0,3 nF bei 0 V Vorspannung

Spektralbereich: 400 nm bis 1100 nm

Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 925 nm

Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,55 A/W

Aktive Fläche: 11 mm2

Kurzschlußstrom: typ. 200 µA bei 100 fc, 2850 K

Kurzschlußstrom: min 13 µA bei 100 µW/cm2, 880 nm

Dunkelstrom: max. 30 nA bei 10 mV Sperrvorspannung

Sperrschichtkapazität: max. 0,3 nF bei 0 V Vorspannung

Spektralbereich: 400 nm bis 1100 nm

Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 925 nm

Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,55 A/W

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