VTP3310LAH – Si-PD, T1 Gehäuse mit integrierter Linse, 0,684 mm2
Die VTP3310LAH ist eine Silizium-Photodiode in einem langen transparenten T1-Linsengehäuse mit integrierter Optik. Diese Photodiode bietet ein hohe Empfindlichkeit im sichtbaren und nahen IR-Spektralbereich und weist einen sehr hohen Shuntwiderstand, einen niedrigen Dunkelstrom und eine niedrige Sperrschichtkapazität auf.
Diese schnell ansprechende Silizium-Photodiode bietet 0,684 mm2 aktive Fläche und eine Spektralempfindlichkeit zwischen 400 nm und 1150 nm.
Unsere Serie von schnell ansprechenden Photodioden ist für niedrige Sperrschichtkapazitäten ausgelegt, um schnelle Ansprechzeiten zu erreichen. Sie können unter Sperrvorspannung betrieben werden, um die Kapazität zu verringern und so die Ansprechgeschwindigkeit weiter zu erhöhen. Diese Photodioden können auch im Photovoltaik Modus betrieben werden, wenn die Ansprechgeschwindigkeit nicht kritisch für die Anwendung ist, in der sie eingesetzt werden.
Die reaktionsschnellen Silizium-Photodioden bieten eine ausgezeichnete Empfindlichkeit im nahen IR-Spektralbereich und sind gut auf die Excelitas Infrarot-LED VTE-Serie abgestimmt.
Hauptmerkmale:
- Sichtbarer Bereich bis naher IR-Bereich
- 1 bis 2% Linearität über 7 bis 9 Dimensionen (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstärke)
- Niedriger Dunkelstrom
- Hoher Shuntwiderstand
- Geringe Sperrschichtkapazität
- Schnelle Ansprechzeit
- Hohe Sperrspannung
- RoHS-konform
Anwendungen:
- Rauchmelder
- Barcode-Scanner
- Lichtmessung
- Puls-Oximeter
Aktive Fläche: 0,684 mm2
Kurzschlußstrom: min. 24 µA bei 100 fc, 2850 K
Responsivity: typ. 0,015 A/(W/cm2), 940 nm
Dunkelstrom: max. 35 nA bei 50 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: max. 25 pF bei 3 V Sperrvorspannung
Spektralbereich: 400 nm bis 1150 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 925 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,55 A/W
Erfassungsbereich: ±20 Grad bei 50 % Empfindlichkeit (FWHM)
Aktive Fläche: 0,684 mm2
Kurzschlußstrom: min. 24 µA bei 100 fc, 2850 K
Responsivity: typ. 0,015 A/(W/cm2), 940 nm
Dunkelstrom: max. 35 nA bei 50 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: max. 25 pF bei 3 V Sperrvorspannung
Spektralbereich: 400 nm bis 1150 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 925 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,55 A/W
Erfassungsbereich: ±20 Grad bei 50 % Empfindlichkeit (FWHM)