VTP1232H – Si-PD, T1 3/4 mit integrierter Optik, 2,326 mm2
Das Modell VTP1232H ist eine Silizium-Photodiode in einem transparenten T1¾-Gehäuse mit integrierter Linse. Die Silizium-Photodiode VTP1232H bietet eine hohe Empfindlichkeit im sichtbaren und im nahen IR-Bereich bei hohem Shuntwiderstand, niedrigem Dunkelstrom und geringer Sperrschichtkapazität.
Diese schnell ansprechende Silizium-Photodiode bietet eine aktive Fläche von 2,326 mm2 und ist auf eine Spektralempfindlichkeit zwischen 400 nm und 1100 nm ausgelegt.
Unsere Serie von schnell ansprechenden Photodioden ist für niedrige Sperrschichtkapazitäten ausgelegt, um schnelle Ansprechzeiten zu erreichen und kann unter Sperrvorspannung betrieben werden, um die Kapazität zu verringern und die Ansprechgeschwindigkeit weiter zu erhöhen. Diese Photodioden können auch im Photovoltaik Modus betrieben werden, wenn die Ansprechgeschwindigkeit nicht kritisch für die Anwendung ist, in der sie eingesetzt werden.
Diese Dioden weisen im IR-Spektralbereich hervorragende Empfindlichkeit auf und sind sehr gut auf die Infrarot-LED-VTE-Serie von Excelitas abgestimmt.
Hauptmerkmale:
- Sichtbarer bis naher IR-Spektralbereich
- 1 bis 2% Linearität über 7 bis 9 Dimensionen (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstärke)
- Niedriger Dunkelstrom
- Hoher Shuntwiderstand
- Geringe Sperrschichtkapazität
- Schnelle Ansprechzeit
- Hohe Sperrspannung
- RoHS-konform
Anwendungen:
- Rauchmelder
- Barcode-Scanner
- Lichtmessung
- Puls-Oximeter
Aktive Fläche: 2,326 mm2
Kurzschlußstrom: min. 100 µA bei 100 fc, 2850 K
Responsivity: min. 0,06 A/(W/cm2), 880 nm
Dunkelstrom: max. 25 nA bei 10 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: max. 0,3 nF bei 0 V Vorspannung
Spektralbereich: 400 nm bis 1100 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 920 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,60 A/W
Erfassungsbereich: ±20 Grad bei 50 % Empfindlichkeit (FWHM)
Aktive Fläche: 2,326 mm2
Kurzschlußstrom: min. 100 µA bei 100 fc, 2850 K
Responsivity: min. 0,06 A/(W/cm2), 880 nm
Dunkelstrom: max. 25 nA bei 10 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: max. 0,3 nF bei 0 V Vorspannung
Spektralbereich: 400 nm bis 1100 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 920 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,60 A/W
Erfassungsbereich: ±20 Grad bei 50 % Empfindlichkeit (FWHM)