VTP5050H – Si-PD, TO-5, 7,45 mm2
Die VTP5050H ist eine Silizium-Photodiode in einem hermetischen TO-5-Gehäuse und bietet eine schnelle Reaktion bei niedrigem Dunkelstrom.
Diese schnell ansprechende Silizium-Photodiode bietet 7,45 mm2 aktive Fläche und eine Spektralempfindlichkeit zwischen 400 nm und 1150 nm. Unsere Photodiodenserien sind für niedrige Sperrschichtkapazitäten ausgelegt, um eine schnellere Ansprechzeit zu erreichen. Sie eignen sich für den Betrieb unter Sperrvorspannung, was die Ansprechgeschwindigkeit weiter erhöht, können aber auch im Photovoltaik-Modus eingesetzt werden. Diese Sensoren haben eine ausgezeichnete Empfindlichkeit im nahen IR-Bereich und sind gut auf die IR-LEDs der VTE-Baureihe abgestimmt.
Hauptmerkmale:
- Sichtbarer bis IR-Spektralbereich
- Wellenlänge höchster Empfindlichkeit: 925 nm
- Mittelgroße aktive Fläche
- 1 bis 2% Linearität über 7 bis 9 Dimensionen (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstärke)
- Niedriger Dunkelstrom
- Hoher Shuntwiderstand
- Geringe Sperrschichtkapazität
- Schnelle Ansprechzeit
- RoHS-konform
Anwendungen:
- Rauchmelder
- Barcode-Scanner
- Lichtmessung
- Puls-Oximeter
Aktive Fläche: 7,45 mm2
Kurzschlußstrom: min. 40 µA bei 100 fc, 2850 K
Responsivity: typ. 0,05 A/(W/cm2), 940 nm
Dunkelstrom: max. 18 nA bei 50 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: max. 24 pF bei 15 V Sperrvorspannung
Spektralbereich: 400 nm bis 1150 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 925 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,55 A/W
Erfassungsbereich: ±45 Grad bei 50 % Empfindlichkeit (FWHM)
Aktive Fläche: 7,45 mm2
Kurzschlußstrom: min. 40 µA bei 100 fc, 2850 K
Responsivity: typ. 0,05 A/(W/cm2), 940 nm
Dunkelstrom: max. 18 nA bei 50 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: max. 24 pF bei 15 V Sperrvorspannung
Spektralbereich: 400 nm bis 1150 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 925 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,55 A/W
Erfassungsbereich: ±45 Grad bei 50 % Empfindlichkeit (FWHM)