VTP1332H – Si-PD, T1 3/4 mit integrierter Linse, IR-durchlässig, 2,326 mm2
Das Modell VTP1332H ist eine Silizium-Photodiode in einem T1¾-Linsengehäuse mit integrierter Linse und Blockung des sichtbaren Spektralbereichs. Diese Photodiode weist einen sehr hohen Shuntwiderstand, einen niedrigen Dunkelstrom sowie eine niedrige Sperrschichtkapazität auf.
Diese schnell ansprechende Silizium-Photodiode bietet eine aktive Fläche von 2,326 mm2 und ist auf einen Spektralbereich zwischen 725 nm und 1150 nm ausgelegt.
Die niedrige Sperrschichtkapazität dieser Serie von Photodioden ermöglicht ein schnelles Ansprechverhalten. Der Betrieb der Dioden unter Sperrvorspannung erlaubt die weitere Reduzierung der Ansprechzeit. Sie können auch im Photovoltaik-Modus betrieben werden, wenn die Ansprechzeit keine wesentliche Rolle spielt.
Diese Detektoren weisen auch im IR-Spektralbereich eine hervorragende Empfindlichkeit auf und sind mit der Infrared LED-Baureihe vom Typ VTE kombinierbar.
Hauptmerkmale:
- Naher IR-Spektralbereich
- 1 bis 2% Linearität über 7 bis 9 Dimensionen (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstärke)
- Niedriger Dunkelstrom
- Hoher Shuntwiderstand
- Geringe Sperrschichtkapazität
- Schnelle Ansprechzeit
- Hohe Sperrspannung
- RoHS-konform
Anwendungen:
- Rauchmelder
- Barcode-Scanner
- Lichtmessung
- Puls-Oximeter
Aktive Fläche: 2,326 mm2
Kurzschlußstrom: min. 75 µA bei 100 fc, 2850 K
Responsivity: min. 0,05 A/(W/cm2), 880 nm
Dunkelstrom: max. 25 nA bei 10 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: max. 100 pF bei 0 V Vorspannung
Spektralbereich: 725 nm bis 1150 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 920 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,55 A/W
Erfassungsbereich: ±20 Grad bei 50 % Empfindlichkeit (FWHM)
Aktive Fläche: 2,326 mm2
Kurzschlußstrom: min. 75 µA bei 100 fc, 2850 K
Responsivity: min. 0,05 A/(W/cm2), 880 nm
Dunkelstrom: max. 25 nA bei 10 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: max. 100 pF bei 0 V Vorspannung
Spektralbereich: 725 nm bis 1150 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 920 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,55 A/W
Erfassungsbereich: ±20 Grad bei 50 % Empfindlichkeit (FWHM)