Ionenstrahl-Hochspannungsstromversorgungen

 

Die Leistungs- und Qualitätsanforderungen, die an Stromversorgungen für die Ionenimplantation bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen, bei der Metallveredelung sowie auf den Forschungsmärkten der Materialwissenschaft gestellt werden, sind konkurrenzlos. Die Stromversorgungen und Technologien, die in unserer Familie von Stromversorgungen eingesetzt werden, bieten die Leistung und Qualität, die für die hohen Anforderungen dieser Anwendungen erforderlich sind.

 

Excelitas Ion-Beam High Voltage Power Supply Family

Produktliste

S25-250 Stromversorgung
Teilenummer
S25-250

-25 kV, 250 W Elektronenunterdrückungs-Stromversorgung

Die 250-Watt-Stromversorgung mit -25 kV und 10 mA enthält ein quasiresonantes Hochfrequenz-Schaltnetzteil mit einem IGBT-basierten Leistungsumrichter mit einem vollständig luftisolierten Hochspannungsteil. Das fehlertolerante Design dieses Systems bietet Schutz vor offenen Stromkreisen und Kurzschlüssen. Geringe gespeicherte Energie, ein Vorteil des Hochfrequenz-Schaltdesigns, bietet eine schnelle Reaktion auf Transienten und einen verbesserten Schutz für die Last und die Anlagenbetreiber.
S40-1K – 40 kV, 25 mA, 1 kW Elektronenunterdrückungs-Stromversorgung von Excelitas
Teilenummer
S40-1K

-40 kV, 1 kW Elektronenunterdrückungs-Stromversorgung

The -40 kilovolt, 25 mA 1 kilowattpower supply incorporates a high frequency quasi-resonant switch-mode design utilizing an IGBT based power inverter with a completely air insulated high voltage section. Das fehlertolerante Design dieses Systems bietet Schutz vor offenen Stromkreisen und Kurzschlüssen. Geringe gespeicherte Energie, ein Vorteil des Hochfrequenz-Schaltdesigns, bietet eine schnelle Reaktion auf Transienten und einen verbesserten Schutz für die Last und die Anlagenbetreiber.
S40-500 Ionenstrahl-Stromversorgung von Excelitas
Teilenummer
S40-500

-40 kV, 500 W Elektronenunterdrückungs-Stromversorgung

Die -40 kV, 12,5 mA, 500 Watt Stromversorgung umfasst ein quasiresonantes Hochfrequenz-Schaltmodus-Design unter Verwendung eines IGBT-basierten Leistungsumrichters mit einem vollständig luftisolierten Hochspannungsabschnitt. Das fehlertolerante Design dieses Systems bietet Schutz vor offenen Stromkreisen und Kurzschlüssen. Geringe gespeicherte Energie, ein Vorteil des Hochfrequenz-Schaltdesigns, bietet eine schnelle Reaktion auf Transienten und einen verbesserten Schutz für die Last und die Anlagenbetreiber.