TEIL/ YAG-444AH
YAG-444 – Si PIN – 11,3 mm
Die YAG Serie an Silizium PIN-Detektoren von Excelitas Technologies sind hochleistungsfähige N- oder P-Typ-Si PIN-Photodioden in hermetischen TO-Gehäusen.
Diese Photodioden sind hochempfindlich im Wellenlängenbereich von 400 nm bis 1100 nm mit optimierter Empfindlichkeit für Anwendungen bei 1064 nm.
Ein Schutzring sammelt den Strom, der außerhalb der aktiven Fläche erzeugt wird, damit dieser Strom das Rauschen nicht verstärkt.
Aufgrund der großen Fläche ist die Photodiode geeignet um sowohl von fokussierten als auch von defokussierten Spots im gepulsten oder im CW Modus aus verschiedenen Positionen beleuchtet zu werden.
Wichtige Eigenschaften und Vorteile:
- Hohe Quantenausbeute bei 1064 nm
- Gehäuseart: hermetisches TO-5 Gehäuse
- Verfügbar als N- bzw. P-Typ Diode
- Aktiver Durchmesser (mm): 11,3
| Aktiver Durchmesser (mm) | 11,3 |
| Aktive Fläche (mm²) | 100 |
| Typische Gesamtkapazität (pF) | 35 |
| Typische Empfindlichkeit bei 900 nm (A/W) | 0,60 |
| Typische Empfindlichkeit bei 1064 nm (A/W) | 0,44 |
| Typische Empfindlichkeit bei 1064 nm für -AR (A/W) | 0,47 |
| Typische Anstiegszeit, 50Ω Lastwiderstand (ns) | 12 |
| Maximale Betriebsspannung (V) | 180 |
| Minimale Durchbruchspannung (V) | 200 |
| Typische Gesamtkapazität (pF) | 35 |
| Typischer Dunkelstrom (nA) | 80 |
| Maximaler Dunkelstrom (nA) | 200 |
| Typischer Rauschstrom (pA/ |
0,16 |
| Rauschäquivalente Leistungen (NEP) bei 1064 nm (pW/ |
0,23 |
| Gehäuse | individuell angepasstes TO-36 |
| Lagerungs-Temperaturbereich (℃) | -55 bis +125 |
| Betriebstemperaturbereich (℃) | -55 bis +125 |
| Aktiver Durchmesser (mm) | 11,3 |
| Aktive Fläche (mm²) | 100 |
| Typische Gesamtkapazität (pF) | 35 |
| Typische Empfindlichkeit bei 900 nm (A/W) | 0,60 |
| Typische Empfindlichkeit bei 1064 nm (A/W) | 0,44 |
| Typische Empfindlichkeit bei 1064 nm für -AR (A/W) | 0,47 |
| Typische Anstiegszeit, 50Ω Lastwiderstand (ns) | 12 |
| Maximale Betriebsspannung (V) | 180 |
| Minimale Durchbruchspannung (V) | 200 |
| Typische Gesamtkapazität (pF) | 35 |
| Typischer Dunkelstrom (nA) | 80 |
| Maximaler Dunkelstrom (nA) | 200 |
| Typischer Rauschstrom (pA/ |
0,16 |
| Rauschäquivalente Leistungen (NEP) bei 1064 nm (pW/ |
0,23 |
| Gehäuse | individuell angepasstes TO-36 |
| Lagerungs-Temperaturbereich (℃) | -55 bis +125 |
| Betriebstemperaturbereich (℃) | -55 bis +125 |