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Gepulste 1550 nm Halbleiter-Laserdioden

Die gepulsten Laserdioden der Excelitas PVG-Serie bieten viele Varianten von verschiedenen Gehäusen und Ausgangsleistungen für augensichere Entfernungsmessungs- und LiDAR-Anwendungen. Die effiziente Kombination mit unseren InGaAs-APD ist möglich. Sie bieten bewährte Zuverlässigkeit in hoch anspruchsvollen Anwendungen wie z. B. in Militär  und Raumfahrt.

Gepulste 1550-nm-Laser-Halbleiterdioden – Datenblatt
Bildunterschrift; 1550 nm PLD im R-Gehäuse

Produktliste

Teilenummer
PVGR1S06H

PVGR1S06H – 1550 nm PLD, Einzel-Kavität, 6 mil Streifenbreite mit Einfach-Kavität im 9 mm CD-Gehäuse

Die PVGR1S06H ist eine hocheffiziente, gepulste 1550 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die aus einem Chip mit Einzel-Kavität und einer Streifenbreite von 150 µm besteht. Die Ausgangsleistung beträgt 7 W bei 20 A und einer Pulslänge von 150 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
Teilenummer
PVGS1S06H

PVGS1S06H – 1550 nm PLD, Einzel-Kavität, 6 mil Streifenbreite im TO-52 Gehäuse

Die PVGS1S06H ist eine hocheffiziente, gepulste 1550 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die aus einem Chip mit Einzel-Kavität und einer Streifenbreite von 150 µm besteht. Die Ausgangsleistung beträgt 7 W bei 20 A und einer Pulslänge von 150 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
Teilenummer
PVGR2S06H

PVGR2S06H – 1550 nm PLD, zweifach gestapelten Chip mit Einzel-Kavität, 6 mil Streifenbreiten im 9 mm CD-Gehäuse

Die PVGR2S06H ist eine hocheffiziente, gepulste 1550 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die aus einem zweifach gestapelten Chip mit Einzel-Kavität und einer Streifenbreite von 150 µm besteht. Die Ausgangsleistung beträgt 24 W bei 20 A und einer Pulslänge von 150 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
Teilenummer
PVGS2S06H

PVGS2S06H – 1550 nm PLD, zweifach gestapelter Chip mit Einzel-Kavität, 6 mil Streifenbreite im TO-52 Gehäuse

Die PVGS2S06H ist eine hocheffiziente, gepulste 1550 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die aus einem zweifach gestapelten Chip mit Einzel-Kavität und einer Streifenbreite von 150 µm besteht. Die Ausgangsleistung beträgt 24 W bei 20 A und einer Pulslänge von 150 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
Teilenummer
PVGR4S12H

PVGR4S12H – 1550 nm PLD, vierfach gestapelter Chip mit Einzel-Kavität, 12 mil Streifenbreite im 9 mm CD-Gehäuse

Die PVGR4S12H ist eine hocheffiziente, gepulste 1550 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die aus einem vierfach gestapelten Chip mit Einfach-Kavität und einer Streifenbreite von 300 µm besteht. Die Ausgangsleistung beträgt 58 W bei 40 A und einer Pulslänge von 150 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.