Gepulste 1550 nm Halbleiter-Laserdioden
Die gepulsten Laserdioden der Excelitas PVG-Serie bieten viele Varianten von verschiedenen Gehäusen und Ausgangsleistungen für augensichere Entfernungsmessungs- und LiDAR-Anwendungen. Die effiziente Kombination mit unseren InGaAs-APD ist möglich. Sie bieten bewährte Zuverlässigkeit in hoch anspruchsvollen Anwendungen wie z. B. in Militär und Raumfahrt.
PVGR1S06H – 1550 nm PLD, Einzel-Kavität, 6 mil Streifenbreite mit Einfach-Kavität im 9 mm CD-Gehäuse
PVGR2S06H – 1550 nm PLD, zweifach gestapelten Chip mit Einzel-Kavität, 6 mil Streifenbreiten im 9 mm CD-Gehäuse
PVGR4S12H – 1550 nm PLD, vierfach gestapelter Chip mit Einzel-Kavität, 12 mil Streifenbreite im 9 mm CD-Gehäuse
PVGS1S06H – 1550 nm PLD, Einzel-Kavität, 6 mil Streifenbreite im TO-52 Gehäuse
PVGS2S06H – 1550 nm PLD, zweifach gestapelter Chip mit Einzel-Kavität, 6 mil Streifenbreite im TO-52 Gehäuse
Als führender Anbieter von fortschrittlichen photonischen Lösungen bietet Excelitas Laser der nächsten Generation, darunter unsere gepulsten 1550 nm Halbleiter-Laserdioden. Sie sind in verschiedenen Gehäusen und Ausgangsleistungen für augensichere Entfernungsmessungs- und LiDAR-Anwendungen verfügbar. Die effiziente Kombination mit unseren InGaAs-APD ist möglich. Sie bieten bewährte Zuverlässigkeit in hoch anspruchsvollen Anwendungen wie z. B. in Militär und Raumfahrt.
Alle unsere Laserprodukte sind für anspruchsvolle Umgebungsbedingungen ausgelegt. Ein Beispiel dafür sind unsere 1550nm-Laserlösungen mit aktiven Schichten, die mit modernen Verfahren der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD) hergestellt werden. Diese sind in zwei praktischen, hermetisch dichten Gehäusekonfigurationen erhältlich: das „S“-Gehäuse mit einem TO-18-Profil mit niedriger Induktivität und das „R“-Gehäuse mit einem CD-9mm-Profil, das eine verbesserte Wärmeableitung und die Möglichkeit zur Aufnahme einer rückseitigen Monitor-Photodiode bietet.
Basierend auf unserer jahrzehntelangen Erfahrung in der Entwicklung und Herstellung fortschrittlicher Laserlösungen unterstützt Excelitas Sie gerne als zuverlässiger Lieferant von Ausrüstung und Geräten in Militärqualität.
Laserdioden mit einer Wellenlänge von 1550 nm werden als retinasichere Laser eingestuft, die Licht im kurzwelligen Infrarot (SWIR) oder im nahen Infrarot (NIR) integrieren und emittieren. Sie sind um eine Zentralwellenlänge von 1550 nm gruppiert. Diese werden üblicherweise in industriellen und militärischen Anwendungen eingesetzt, sie sind jedoch auch für Verbraucheranwendungen geeignet.
1550 nm Laserdioden haben ebenfalls ein breites Anwendungsspektrum in verschiedensten Bereichen. Sie werden in der Telekommunikation zur Übertragung von Datensignalen und zur Prüfung von Glasfaserkabeln auf mögliche Leistungsverluste entlang der Glasfaser verwendet. In der optischen Freiraumkommunikation ermöglichen diese Halbleiter-Laserdioden eine Sichtverbindung, da ihr Signal nur schwer abgefangen werden kann. Im militärischen Bereich können sie aufgrund ihrer Sicherheit für die Netzhaut auch bei höheren Leistungen in Entfernungsmessern eingesetzt werden.
Excelitas Technologies ist der unangefochtene Marktführer in der Halbleiterlasertechnologie. Mit technischen Innovationen, wie der PVG-Serie - gepulster hochleistungsfähiger Laserdioden, ist das Unternehmen weiterhin führend in der Branche.
Erfahren Sie mehr über die PVG-Serie:
-
PVGR1S06H – Die 1550 nm 6 Mil PLD mit Einzelresonator im 9 mm CD-Metallgehäuse ist ein hocheffizienter, gepulster Halbleiter-Laser, der aus einem Single-Stack-Chip mit Einfach-Kavität und einer Streifenbreite von 150 µm besteht. Die Spitzenleistung beträgt 7 W bei 20 A und wurde mit einer Pulslänge von 150 ns geprüft.
-
PVGS1S06H – 1550 nm 6 mil PLD TO-52 mit Einzelresonator – hat dieselben Spezifikationen wie das Modell PVR1S06H. Sie zeichnet sich durch eine Quantenmuldenstruktur aus und kann hohe gepulste Spitzenleistungen von bis zu 50 W erzeugen.
-
PVGS2S06H – 1550 nm zweifach gestapelt mit Einzelresonator 6 mil PLD TO-52 – die GS2S06H wird ebenfalls in einem Metallgehäuse geliefert. Dieses Gehäuse enthält einen Dual-Stack-Chip mit einzelner Kavität und einer Streifenbreite von 150 µm bei einer Leistung von 24 W mit 2 A und einer Pulsbreite von 150 ns.
-
PVGR2S06H – 1550 nm zweifach gestapelt mit Einzelresonator 6 mil PLD 9 mm CD-Gehäuse – eine hocheffiziente gepulste Laserdiode, ebenfalls in einem Metallgehäuse, mit einem doppelt gestapelten Chip mit einem Resonator, ähnlich dem des GS2S06H. Die Wellenlänge wurde auf 1550 nm zentriert, um die Vorteile einer höheren maximalen Emission gegenüber AIGaAs- und InGaAs-Lasern zu nutzen.
-
PVGR4S12H – 1550 nm vierfach gestapelter Chip mit Einzelresonator 12 mil PLD 9mm CD-Gehäuse – das leistungsstärkste Gerät der Serie besteht aus einem vierfach gestapelten Chip mit einer einzelnen Kavität und einer Streifenbreite von 300 µm. Die Spitzenleistung beträgt 58 W bei 40 A und wurde mit einer Pulslänge von 150 ns geprüft.
Excelitas stellt hochentwickelte Halbleiter-Lasertechnologie her, die in einer Vielzahl von Anwendungen zum Einsatz kommt. Dazu gehören die folgenden:
- Augensicherer Laser-Entfernungsmesser (LRF)
- Optische Warnleuchten
- Verdeckte Beleuchtung
- Sensorik
- Industrielle Messtechnik
- Laserschutzvorhänge
Excelitas entwickelt seit Jahrzehnten gepulste Laserdioden für Kunden in aller Welt. Unsere gepulsten Laserdioden werden nach den Spezifikationen unserer Kunden gefertigt, um eine optimal zugeschnittene Leistung zu erreichen und gleichzeitig die höchste Qualität und Zuverlässigkeit zu garantieren, die unsere Kunden von Excelitas erwarten. Wenn Sie spezielle Anforderungen für Ihre Anwendung haben, kontaktieren Sie uns noch heute und besprechen Sie Ihr Projekt mit uns, um Ihre Innovation zu optimieren.