PVGR4S12H – 1550 nm PLD, vierfach gestapelter Chip mit Einzel-Kavität, 12 mil Streifenbreite im 9 mm CD-Gehäuse
Die PVGR4S12H ist eine hocheffiziente, gepulste 1550 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die aus einem vierfach gestapelten Chip mit Einfach-Kavität und einer Streifenbreite von 300 µm besteht. Die Ausgangsleistung beträgt 58 W bei 40 A und einer Pulslänge von 150 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
Unsere Laserdioden, die in einem MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapour Deposition) Prozess gefertigt werden besitzen ein Doppelheterostruktur, emittieren bei 1550 nm und haben Ausgangsleistungen von 7 W, 14 W und 58 W und werden als Standardprodukte angeboten. Ihre typische Wellenlänge liegt bei 1550 nm. Damit profitieren sie von höheren maximal zulässigen optischen Ausgangsleistungen gegenüber AlGaAs- und InGaAs-Lasern für einen augensicheren Betrieb gemäß FDA-Anforderungen. Dies ermöglicht den Betrieb in Laserklasse 1 mit relativ hohen Ausgangsleistungen.
• 1550 nm typische Wellenlänge
• Gestapelte Chips zur Erhöhung der Ausgangsleistung erhältlich
• „Quantum Well“-Struktur
• Hohe Pulsleistung – bis zu 50 W
• 1550 nm typische Wellenlänge
• Gestapelte Chips zur Erhöhung der Ausgangsleistung erhältlich
• „Quantum Well“-Struktur
• Hohe Pulsleistung – bis zu 50 W