C30739ECERH – Si APD auf Keramiksubstrat

Die für den kurzwelligen Bereich optimierte Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) C30739ECERH deckt den Spektralbereich von unter 400 nm bis über 700 nm ab. Mit geringem Rauschen, niedriger Kapazität und einer optimierten Empfindlichkeit im UV bei gleichzeitig hoher Verstärkung, bietet die Si APD eine Quantenausbeute von mehr als 70% bei 430 nm und ist für Anwendungen bei niedriger Lichtleistung, wie z. B. molekulare Bildgebung, konzipiert. Ihr keramisches Substrat ermöglicht eine einfache Handhabung und Kopplung an Szintillationskristalle wie LSO und BGO.