VTB100AH – Si-PD, flache Bauform "Side-Looker", 7,1 mm2
Die VTB100AH ist eine blau-verstärkte Silizium-Photodiode in einem Gehäuse für seitlichen Lichteinfall aus geformtem Kunststoff. Diese Photodiode bietet eine höhere Empfindlichkeit im blauen Spektralbereich sowie einen sehr hohen Shuntwiderstand und einen niedrigen Dunkelstrom.
Die blau-verstärkte Silizium-Photodiode VTB100AH bietet eine aktive Fläche von 7,1 mm2 und eine spektrale Empfindlichkeit von 320 nm bis 1100 nm.
Diese Serie von planaren P-auf-N-Silizium-Photodioden wurde für eine optimale Empfindlichkeit im gesamten sichtbaren Bereich des Spektrums entwickelt. Die Photodioden sind in erster Linie für den Einsatz im Photovoltaik-Modus vorgesehen, können aber auch mit einer geringen Sperrvorspannung betrieben werden. Sie weisen außerdem einen sehr hohen Shuntwiderstand auf – eine Eigenschaft, die bei Verwendung in Trans-Impedanz-Operationsverstärkerschaltungen mit hoher Verstärkung zu niedrigen Offsetspannungen führt.
Hauptmerkmale:
- Spektralbereich von UV bis naher IR-Bereich
- 1–2 % Linearität über 7 bis 9 Dekaden (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstärke)
- Extrem geringer Dunkelstrom
- Sehr hoher Shuntwiderstand
- RoHS-konform
Anwendungen:
- Blaulichterkennung
- Lichtmessung
- Flammenüberwachung
- Photometrie
Aktive Fläche: 7,1 mm2
Kurzschlußstrom: min. 50 µA bei 100 fc, 2850 K
Dunkelstrom: max. 500 pA bei 10 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: typ. 2,0 nF bei 0 V Vorspannung
Spektralbereich: 320 nm bis 1100 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 925 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,55 A/W
Erfassungsbereich: ±70 Grad bei 50 % Signal (FWHM)
Aktive Fläche: 7,1 mm2
Kurzschlußstrom: min. 50 µA bei 100 fc, 2850 K
Dunkelstrom: max. 500 pA bei 10 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: typ. 2,0 nF bei 0 V Vorspannung
Spektralbereich: 320 nm bis 1100 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 925 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,55 A/W
Erfassungsbereich: ±70 Grad bei 50 % Signal (FWHM)